[发明专利]用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置

说明书

一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置，所述刻蚀方法包括：步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向所述刻蚀装置内充注臭氧；步骤S50，利用刻蚀液对所述铜钼膜层进行刻蚀。本发明能够提高刻蚀效率和产能，另外，也能够减少刻蚀液的用量，进而降低刻蚀液的成本。

技术领域

本发明涉及铜制程刻蚀领域，尤其涉及一种用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置。

背景技术

随着显示器尺寸的增大，与薄膜晶体管连接的栅极线和数据线等金属配线的长度会增加，随之金属配线的电阻会增加，会产生信号延迟等问题，目前通常采用铜金属来制作栅极及数据金属配线，相较于铝金属，铜的电阻值更低，性能优异，不需要达到铝导线的宽度要求，就能提高显示器的穿透度和背光源的使用效率，因此铜金属更加适合高分辨率面板的制作。

在TFT-LCD中铜制程图案的形成过程包括：先在基板上形成铜钼膜层，再在铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶，最后利用刻蚀液对铜钼膜层进行刻蚀，以形成预定图案的金属配线。其中，钼的作用为增加铜与基板的贴附性，阻止铜向基板的未指定区域扩散。但是，传统的刻蚀液中含有氟化物，对基板和环境都具有腐蚀性，且刻蚀效率低、稳定性差。

发明内容

本发明提供一种用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置，通过紫外线的照射，能够增强刻蚀液中的过氧化氢的氧化铜钼的能力，加快刻蚀效率，以解决现有的刻蚀液中的过氧化氢的氧化铜钼的速率较慢，导致刻蚀效率低下，进而影响显示面板的产能的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种铜钼膜层的刻蚀方法，包括：

步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；

步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；

步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；

步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向所述刻蚀装置内充注臭氧；

步骤S50，利用刻蚀液对所述铜钼膜层进行刻蚀。

在本发明的至少一种实施例中，所述步骤S40中，所述紫外线的波长为200～390纳米。

在本发明的至少一种实施例中，所述步骤S40中，所述紫外线的照射强度为0.5～2毫瓦每平方厘米。

在本发明的至少一种实施例中，所述步骤S40中，所述刻蚀装置内的所述臭氧的浓度为0.05～10毫克每升。

在本发明的至少一种实施例中，所述步骤S50中，所述刻蚀液的刻蚀温度为25～35摄氏度。

在本发明的至少一种实施例中，所述刻蚀液包括混合均匀的过氧化氢、有机酸、调节剂、无机盐、螯合剂、抑制剂、以及去离子水。

在本发明的至少一种实施例中，相对于所述刻蚀液的整体质量，所述过氧化氢的质量分数为5％～10％，所述有机酸的质量分数为3％～10％，所述调节剂的质量分数为0.1％～3％，所述无机盐的质量分数为0.1％～5％，所述无机盐的质量分数为0.1％～5％，所述螯合剂的质量分数为0.5％～7％，所述抑制剂的质量分数为0.001％～1％，余量为所述去离子水。

本发明还提供一种用于铜钼膜层的刻蚀装置，包括：

密封的腔体；

载物台，设置于所述腔体底部，用以承载待刻蚀的基板；

刻蚀液喷头，设置于所述腔体的顶部，用以喷射出刻蚀液；

紫外灯，设置于所述腔体的上部；