[发明专利]一种瞬态电压抑制器件及其制造方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：

衬底，为第二导电类型；

第一导电类型阱区，设于所述衬底上，包括第一阱和第二阱；

第三阱，设于所述衬底上，为第二导电类型，所述第三阱的底部延伸至所述衬底；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

第四阱，设于所述第一阱中，为第二导电类型；

隔离结构，所述隔离结构包括设于所述第一阱和第二阱之间的第一隔离部，以及设于所述第一阱和所述第三阱之间的第二隔离部，所述第一隔离部用于将所述第一阱和第二阱相隔离，所述第二隔离部用于将所述第一阱和第三阱相隔离；

第一掺杂区，为第一导电类型，设于所述第二阱中；

第二掺杂区，为第二导电类型，设于所述第三阱中；

第三掺杂区，为第二导电类型，设于所述第四阱中；

第四掺杂区，为第一导电类型，设于所述第四阱中；

第五掺杂区，为第一导电类型，从所述第四阱中延伸至所述第四阱外，且位于第四阱外的部分位于所述第一阱中；

第六掺杂区，为第二导电类型，设于所述第一阱中；

第七掺杂区，为第二导电类型，设于所述第五掺杂区下方、所述第一阱中；所述第五掺杂区设于所述第四掺杂区和第六掺杂区之间，所述第四掺杂区设于所述第三掺杂区和第五掺杂区之间；

金属连线层，包括第一金属连线和第二金属连线，位于所述衬底上，所述金属连线层位于芯片正面，所述第一金属连线电性连接所述第一掺杂区和第六掺杂区作为第一电位端，所述第二金属连线电性连接所述第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区作为第二电位端。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第一电位端用于电性连接输入输出端口，所述第二电位端用于接地。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，还包括设于所述衬底上的外延层，所述第一导电类型阱区设于所述外延层中，所述外延层为第二导电类型，所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离结构是在隔离槽内填充了绝缘材料的隔离结构。

5.根据权利要求4所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述第二隔离部的槽深大于或等于所述第三阱的阱深。