[发明专利]具有可配置输入/输出接口的存储器装置有效
申请号: | 201811015026.8 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN110289030B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | T·M·霍利斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C5/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 配置 输入 输出 接口 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器单元阵列,其通过衬底与主机装置耦合;
第一导电路径,其被配置成经由衬底耦合所述存储器单元阵列与所述主机装置;
第二导电路径,其能够选择性地与所述第一导电路径耦合,且被配置成经由所述衬底耦合所述存储器单元阵列与所述主机装置,其中所述第一导电路径和所述第二导电路径与以堆叠形式放置的多个存储器单元阵列耦合,所述多个阵列中的每一存储器单元阵列具有与所述第一导电路径和所述第二导电路径耦合的相应的输入/输出I/O接口;以及
I/O接口,其与所述第一导电路径和所述第二导电路径耦合,且能够至少部分地基于所述衬底的类型而在第一配置与第二配置之间进行配置。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:
一或多个开关组件,其被配置成在所述第一配置中使所述第一导电路径与所述第二导电路径隔离,且在所述第二配置中耦合所述第一导电路径与所述第二导电路径。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述衬底的所述类型为高密度插入件或有机衬底。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述I/O接口包括:
第一驱动器和第二驱动器,其各自被配置成从所述存储器单元阵列发射一或多个信号;以及
多个接收器,其被配置成在所述存储器单元阵列处接收一或多个信号。
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中处于所述第一配置的所述I/O接口包括:
所述第一驱动器和所述多个接收器中的第一接收器,其与所述第一导电路径耦合;以及
所述第二驱动器和所述多个接收器中的第二接收器,其与所述第二导电路径耦合。
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中处于所述第一配置的所述I/O接口包括:
所述第一驱动器和所述第一接收器,其与所述第二驱动器和所述第二接收器隔离。
7.根据权利要求5所述的存储器装置,其中处于所述第一配置的所述I/O接口包括:
所述多个接收器中的第三接收器,其与所述第一导电路径和所述第二导电路径隔离。
8.根据权利要求5所述的存储器装置,其中:
在所述I/O接口处于所述第一配置时,所述第一驱动器和所述第一接收器被配置成使用所述第一导电路径来传达使用具有两个电平的调制方案调制的第一信号集合;以及
在所述I/O接口处于所述第一配置时,所述第二驱动器和所述第二接收器被配置成使用所述第二导电路径来传达使用所述具有两个电平的调制方案调制的第二信号集合。
9.根据权利要求4所述的存储器装置,其中处于所述第二配置的所述I/O接口包括:
所述第一驱动器和所述第二驱动器,其与所述第一导电路径和所述第二导电路径耦合;以及
所述多个接收器,其与所述第一导电路径和所述第二导电路径耦合。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中:
在所述I/O接口处于所述第二配置时,所述第一驱动器和所述第二驱动器被配置成使用所述第一导电路径和所述第二导电路径来发射使用具有三个或更多个电平的调制方案调制的第一信号集合;以及
在所述I/O接口处于所述第二配置时,第一接收器、第二接收器和第三接收器被配置成接收使用所述第一导电路径和所述第二导电路径传达的使用所述具有三个或更多个电平的调制方案调制的第二信号集合。
11.根据权利要求9所述的存储器装置,其中在所述I/O接口处于所述第二配置时,所述第一驱动器被配置成具有第一驱动强度,且所述第二驱动器被配置成具有第二驱动强度,所述第二驱动强度小于所述第一驱动强度。
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