[发明专利]具有可配置输入/输出接口的存储器装置

说明书

本申请案是针对具有能够配置的输入/输出接口的存储器装置。描述用于存储器装置的方法、系统和设备，所述存储器装置能够基于用以耦合所述存储器装置与主机装置的衬底的类型而进行配置。所述能够重新配置的存储器装置可包含用于不同配置的多个组件。能够重新配置的存储器裸片的各种组件能够基于所述存储器装置中使用的衬底的类型而启动/去启动。所述存储器装置可包含能够进行各种配置的输入/输出I/O接口。第一配置能够使得所述存储器装置在具有第一宽度的信道上传达使用第一调制方案调制的信号。第二配置能够使得所述存储器装置在具有第二宽度的信道上传达使用第二调制方案调制的信号。所述I/O接口可包含一或多个开关组件，其选择性地将信道的引脚耦合在一起和/或选择性地将组件耦合到各个引脚。

交叉参考

本专利申请案要求2018年8月8日申请的题为“具有可配置输入/输出接口的存储器装置(Memory Device with Configurable Input/Output Interface)”的Hollis的美国专利申请案第16/058,566号的优先权，且要求2018年8月8日申请的题为“具有可配置输入/输出接口的存储器装置”的Hollis的美国专利申请案第16/058,588号的优先权，所述两个申请案都要求让渡给本受让人的2018年3月19日申请的题为“具有可配置输入/输出接口的存储器装置”的Hollis的美国临时专利申请案第62/645,057号的优先权和权益，且所述申请案中的每一个以引用的方式明确并入本文中。

技术领域涉及具有可配置输入/输出接口的存储器装置。

背景技术

下文大体上涉及用于具有可配置输入/输出接口的存储器装置的装置和方法。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过程序设计存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有常常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或程序设计存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。易失性存储器装置(例如，DRAM)除非被外部电源定期刷新，否则可能随时间推移而丢失其存储的状态。FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但归因于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性特性。

一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。不断进步的存储器技术已实现许多这些量度的改进，但高可靠性、低时延和/或低功率的装置往往是昂贵且不可扩展的。随着用于高可靠性、低时延、低功率存储器的应用数目增加，对于用于此类应用的可扩展、高效且节约成本的装置的需要也增大。

发明内容

一种存储器装置，其包含：存储器单元阵列，其通过衬底与主机装置耦合；第一导电路径，其被配置成经由衬底耦合存储器单元阵列与主机装置；第二导电路径，其可选择性地与第一导电路径耦合，且被配置成经由衬底耦合存储器单元阵列与主机装置；以及输入/输出(I/O)接口，其与第一导电路径和第二导电路径耦合，且可至少部分地基于衬底的类型而在第一配置与第二配置之间进行配置。