[发明专利]封装结构及其形成方法在审
申请号: | 201811019434.0 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN109148309A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 严其新 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腔壁 开口 晶圆 空腔 载板 封装结构 减压抽气 键合 空腔连通 热预算 封闭 贯穿 密闭 包围 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
载板,所述载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,所述第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,所述第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于所述第二开口中的开关;
位于所述第一腔壁外表面的第一晶圆,第一晶圆封闭第一开口,所述开关处于闭合状态,空腔密闭,且所述空腔内的压强小于空腔外的压强。
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一晶圆包括切割道;
所述第一开口朝向切割道。
3.如权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第一腔壁中还具有凹槽,所述凹槽背向空腔且与所述空腔未连通,所述凹槽位于第一开口周围且与第一开口相互分立;所述第一晶圆还包括与所述切割道邻接的芯片;所述芯片包括第一凸块,所述第一凸块位于芯片朝向第一腔壁的表面;所述第一凸块位于所述凹槽中。
4.如权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述芯片包括若干个第一凸块;同一个芯片的若干个第一凸块位于同一个凹槽内。
5.如权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述凹槽的深度大于或者等于第一凸块的高度。
6.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一开口的个数为1个或者多个。
7.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一腔壁和第二腔壁相对设置;或者,所述第一腔壁和第二腔壁相互连接。
8.一种封装结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供第一晶圆;
提供载板,所述载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于所述第二开口中的开关;
将第一晶圆置于第一腔壁外表面,使所述第一晶圆封闭第一开口;
打开所述开关;
所述第一晶圆封闭第一开口后,且打开开关后,通过第二开口对空腔进行减压抽气处理;
减压抽气处理后,关闭所述开关,使空腔密闭,第一晶圆与所述载板键合在一起。
9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述减压抽气处理包括:通过第二开口将空腔内的部分或者全部空气抽出。
10.如权利要求8所述的封装结构的形成方法,其特征在于,第一晶圆与载板键合在一起之后,还包括:打开所述开关,外界空气通过第二开口进入空腔内,使第一晶圆与载板解键合。
11.如权利要求10所述的封装结构的形成方法,其特征在于,所述第一晶圆包括相对的第一面和第二面;第一晶圆与载板键合后,所述第一面与第一腔壁贴合;在第一晶圆和载板键合之后,在第一晶圆和载板解键合之前,所述形成方法还包括:对所述第二面进行减薄处理;对所述第二面进行减薄处理之后,在所述第二面形成金属层和位于金属层表面的钝化层,所述钝化层内具有第三开口,所述第三开口底部暴露出金属层;提供第二晶圆,所述第二晶圆还包括若干个第二凸块,相邻第二凸块之间具有底部填充胶;将第二晶圆放置于钝化层表面,使第二凸块置于第三开口内,使第二凸块与金属层焊接在于一起;将第二晶圆置于钝化层表面之后,在所述第二晶圆的侧壁形成塑封层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造