[发明专利]封装结构及其形成方法在审
申请号: | 201811019434.0 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN109148309A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 严其新 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腔壁 开口 晶圆 空腔 载板 封装结构 减压抽气 键合 空腔连通 热预算 封闭 贯穿 密闭 包围 | ||
一种封装结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供第一晶圆;提供载板,载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于第二开口中的开关;将所述第一晶圆置于第一腔壁外表面,使所述第一晶圆封闭第一开口;打开开关;所述第一晶圆封闭第一开口后,且打开开关后,通过第二开口对空腔进行减压抽气处理;减压抽气处理后,关闭所述开关,使空腔密闭,第一晶圆与载板键合在一起。所述方法能够降低键合第一晶圆和载板的热预算。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
背景技术
随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化、环保型等方向的发展,人们努力寻求将电子系统越做越小,集成度越来越高,功能越做越多,由此薄器件晶圆以及薄芯片的处理成为了量产超薄产品的瓶颈,在此基础上引出了临时键合和解键合工艺。
目前,晶圆临时键合工艺从解键合机理上包括:激光解键合、热机械解键合和化学药液解键合。晶圆临时键合具体是指将晶圆与载板临时结合在一起。
然而,利用现有工艺临时键合晶圆和载板需借助于温度,使得热预算较高。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种封装结构及其形成方法,以降低键合的热预算。
为解决上述技术问题,本发明提供一种封装结构,包括:载板,所述载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,所述第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,所述第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于第二开口中的开关;位于所述第一腔壁外表面的第一晶圆,第一晶圆封闭第一开口,所述开关处于闭合状态,空腔密闭,且所述空腔内的压强小于空腔外的压强。
可选的,所述第一晶圆包括切割道;所述第一开口朝向切割道。
可选的,所述第一腔壁中还具有凹槽,所述凹槽背向空腔且与所述空腔未连通,所述凹槽位于第一开口周围且与第一开口相互分立;所述第一晶圆还包括与所述切割道邻接的芯片;所述芯片包括第一凸块,所述第一凸块位于芯片朝向第一腔壁的表面;所述第一凸块位于所述凹槽中。
可选的,所述芯片包括若干个第一凸块;同一个芯片的若干个第一凸块位于同一个凹槽内。
可选的,所述凹槽的深度大于或者等于第一凸块的高度。
可选的,所述第一开口的个数为1个或者多个。
可选的,所述第一腔壁和第二腔壁相对设置;或者,所述第一腔壁和第二腔壁相互连接。
相应的,本发明还提供一种封装结构的形成方法包括:提供第一晶圆;提供载板,所述载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于第二开口中的开关;将第一晶圆置于第一腔壁外表面,使所述第一晶圆封闭第一开口;打开开关;所述第一晶圆封闭第一开口后,且打开开关后,通过第二开口对空腔进行减压抽气处理;减压抽气处理后,关闭所述开关,使空腔密闭,第一晶圆与载板键合在一起。
可选的,所述减压抽气处理包括:通过第二开口将空腔内的部分或者全部空气抽出。
可选的,第一晶圆与载板键合在一起之后,还包括:打开所述开关,外界空气通过第二开口进入空腔内,使第一晶圆与载板解键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造