[发明专利]场效应晶体管及制作方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底一侧且与所述衬底欧姆接触的漏极；

设置在所述衬底远离所述漏极一侧的漂移层；

设置在所述漂移层远离所述衬底一侧的电流孔径以及电流阻挡层，所述电流阻挡层与该电流孔径同层设置且该电流阻挡层位于该电流孔径的相对两侧；

设置在所述电流阻挡层远离所述衬底一侧的插入层，所述电流孔径至少部分被所述插入层所覆盖；

设置在所述电流阻挡层和所述插入层远离所述衬底一侧的半导体层；

设置在所述半导体层相对两端且与所述半导体层欧姆接触的源极；及设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的栅极；

所述插入层与所述半导体层形成势垒，以阻止从所述源极流向所述漏极的电子。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层采用Al_xGa_1-xN材料，其中，x的取值范围为0.02～0.08。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层的厚度为1nm～15nm，所述插入层掺杂碳元素。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极的两端超出所述电流孔径的部分的长度范围为2～5um。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层至少覆盖在所述电流孔径，覆盖在所述电流孔径上的插入层包括一缺口，所述缺口的长度小于所述电流孔径的长度。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层覆盖在所述电流孔径与所述电流阻挡层远离衬底一侧，并至少完全覆盖所述电流孔径。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层的一端与所述电流孔径一侧的所述电流阻挡层接触，所述插入层的另一端与所述电流孔径另一侧的所述电流阻挡层接触。

8.如权利要求1-6中任意一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层的一端与所述电流孔径一侧的所述电流阻挡层接触，所述插入层的另一端位于所述电流孔径上。

9.如权利要求1-6中任意一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述插入层的两端均位于所述电流孔径上。

10.如权利要求1-6中任意一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管还包括介质层；

所述介质层设置在所述半导体层远离所述衬底的一侧，且位于所述源极之间；

所述栅极设置在所述介质层远离所述衬底的一侧。

11.一种场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上制作一漂移层；

在所述漂移层远离所述衬底一侧制作电流孔径以及与该电流孔径同层的电流阻挡层，所述电流阻挡层位于该电流孔径的相对两侧；

在所述电流阻挡层远离所述衬底一侧制作至少部分覆盖所述电流孔径的插入层；

在所述电流阻挡层和所述插入层远离所述衬底一侧制作半导体层；

在所述半导体层相对的两端制作与所述半导体层欧姆接触的源极；

在所述半导体层远离衬底的一侧制作栅极；

在所述衬底远离所述漂移层的一侧制作与所述衬底欧姆接触的漏极。