[发明专利]一种抗电磁辐射干扰的电路板

权利要求书

1.一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，包括电路板本体、绝缘胶层、电磁屏蔽膜，电路板本体包括基板、控制芯片、线路层，所述电路板本体上设有外接镀孔、元件连接镀孔、安装固定孔，所述绝缘层设于电路板本体与电磁屏蔽膜之间，所述电磁屏蔽膜贴设于绝缘层之上，所述电磁屏蔽膜为涂覆有电磁屏蔽涂料的贴膜，所述电磁屏蔽涂料由表面改性MXene、环氧树脂、乙酸乙酯、硅烷偶联剂、有机膨润土混合制得。

2.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，所述所述电磁屏蔽涂料中表面改性MXene、环氧树脂、乙酸乙酯、硅烷偶联剂、有机膨润土的质量比例为(150-200):100:(30-50):1:3。

3.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，所述表面改性MXene包括MXene载体和负载层，负载层包括氧化锌相、碳相和二氧化钛相。

4.根据权利要求3所述的一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，所述MXene载体为烧结碳化钛铝经含锂离子的氢氟酸溶液刻蚀得到；所述碳相和二氧化钛相由MXene载体经二氧化碳高温氧化得到；所述氧化锌相由MXene载体经锌离子负载、水合肼还原、二氧化碳高温氧化得到。

5.根据权利要求4所述的一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，所述含锂离子的氢氟酸溶液为溶有氟化锂的浓盐酸溶液，氟化锂浓度为0.05g/ml。

6.根据权利要求4所述的一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，所述烧结碳化钛铝由钛、铝、碳化钛按质量比5：3：20经高温烧结制得。

7.根据权利要求4所述的一种抗电磁辐射干扰的电路板，其特征在于，所述二氧化碳高温氧化的过程温度为850℃，保温时间60min，二氧化碳流量150ml/min。