[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述的发光二极管外延片以蓝宝石为衬底，其表面依次为缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和n型氮化镓层，其中n型氮化镓层，以硅烷为掺杂剂；在n型氮化镓层上再依次生长n型电子阻挡层和应力释放层，其中应力释放层为数个周期的In_xGa_(1-x)N/GaN超晶格层，0.1≤x≤0.4；在应力释放层上继续外延生长具有量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层和p型接触层，其中量子阱层为InN/In_xGa_(1-x)N/InN三明治结构，第一层InN的生长时间为t1，第二层InN的生长时间为t2，t1与t2随着量子阱层个数增加而增加，0.1≤x≤0.4；p型电子阻挡层采用Al_xGa_(1-x)N体结构生长，p型电子阻挡层、p型氮化镓层和p型接触层均采用二茂镁作为掺杂剂；

所述的缓冲层的厚度为10nm～50nm；

所述的非故意掺杂氮化镓层的厚度为1μm～5μm；

所述的n型氮化镓层的厚度为2μm～10μm；

所述的n型电子阻挡层的厚度为20nm～200nm；

所述的应力释放层的厚度为50nm～500nm，周期数为2～10个；

所述的量子阱结构的发光层周期数为6～15个，每个周期包括一个量子阱层和一个量子垒层，其中量子阱层为InN/In_xGa_(1-x)N/InN三明治结构，0.1≤x≤0.4，第一层InN的生长时间为t1，第二层InN的生长时间为t2，t1为5s～50s，t2为8～80s；量子阱层的厚度为2nm～20nm，量子垒层的厚度为4nm～40nm；

所述的p型电子阻挡层的厚度为10nm～200nm；

所述的p型氮化镓层的厚度为50nm～500nm；

所述的p型接触层的厚度为5nm～100nm。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，

所述的缓冲层的厚度为15nm～30nm；

所述的非故意掺杂氮化镓层的厚度为1.5μm～4μm；

所述的n型氮化镓层的厚度为3μm～6μm；

所述的n型电子阻挡层的厚度为25nm～100nm；

所述的应力释放层的厚度为60nm～200nm，周期数为3～8个；

所述的量子阱结构的发光层周期数为8～13个，量子阱层厚度为3nm～10nm，量子垒层厚度为6nm～20nm，InN生长时间t1为6s～30s，t2为10～50s；

所述的p型电子阻挡层的厚度为20nm～100nm；

所述的p型氮化镓层的厚度为100nm～300nm；

所述的p型接触层的厚度为10nm～60nm，为In_xGa_(1-x)N/GaN超晶格结构层，周期数在4～12个。