[发明专利]一种制备高纯金属镱的真空炉及其制备高纯金属镱的方法

权利要求书

1.一种制备高纯金属镱的真空炉，其特征在于包括均位于真空炉内的冷凝坩埚(1)、上筛板(4)、坩埚(5)、分离器(6)、下筛板(7)、支点(8)和盖板(12)，从上到下依次为盖板(12)、冷凝坩埚(1)、坩埚(5)、上筛板(4)、分离器(6)；所述分离器(6)、下筛板(7)、支点(8)位于坩埚5内，若干个支点(8)固定在坩埚(5)的中部，下筛板(7)置于支点(8)上；所述下筛板(7)有若干个通孔(71)；在下筛板(7)之上、坩埚(5)内的上部放置由若干第一薄钼片(66)、第二薄钼片(65)及第三薄钼片(61)组成的分离器(6)；所述第一薄钼片(66)呈平直的矩形；所述第二薄钼片(65)折成约120-150°角；所述第三薄钼片(61)为在第二薄钼片(65)的两端分别增加折边(62)；组装成分离器(6)时若干块第一薄钼片(66)两端的直边紧贴坩埚(5)左侧的内壁，使得第一薄钼片(66)与坩埚(5)之间或相邻两块第一薄钼片(66)之间有缝隙(63)；所述若干块第二薄钼片(65)两端的直边分别紧贴坩埚(5)右侧的内壁，使得第二薄钼片(65)与坩埚(5)之间或相邻两块第二薄钼片(65)之间有缝隙(63)；若干块第三薄钼片(61)布置于第一薄钼片(66)与第二薄钼片(65)之间；所述各第三薄钼片(61)两端的各一条直边紧贴或靠近坩埚(5)的内壁；按照最左侧的第三薄钼片(61)与最右侧的第一薄钼片(66)之间留有缝隙(63)，最右侧的第三薄钼片(61)的折边(62)紧帖最左侧的第二薄钼片(65)并留有缝隙(63)，其余第三薄钼片(61)的折边(62)紧帖相邻的另一块第三薄钼片(61)布置，相邻的两块第二薄钼片(61)之间有缝隙(63)；所述上筛板(4)的外径与坩埚(5)的内径相匹配，上筛板(4)有若干通孔(41)，上筛板(4)置于分离器(6)上；所述冷凝坩埚(1)为钼管，伸入坩埚(5)内直接盖合在上筛板(4)上；所述盖板(12)有通孔(11)，盖板(12)盖合在冷凝坩埚(1)上。

2.一种制备高纯金属镱的方法，使用权利要求1所述制备高纯金属镱的真空炉，包括以下步骤：

步骤一，将含镱原料(9)置于坩埚(5)中；

步骤二，将真空炉内抽真空；

步骤三，加热含镱原料(9)；

步骤四，控制分离器(6)温度≥300℃得到高纯金属镱；

所述高纯金属镱的纯度≥99.99wt％。

3.如权利要求2所述制备高纯金属镱的方法，其特征在于将含镱原料(9)加热至1100-1500℃；或者将低纯度金属镱加热至≥700℃。

4.如权利要求2所述制备高纯金属镱的方法，其特征在于所述分离器温度为300-1000℃。

5.如权利要求2所述制备高纯金属镱的方法，其特征在于所述含镱原料(9)包括氧化镱、铥镱混合氧化物、铥镱镥混合氧化物，以及纯度低的金属镱中至少一种。

6.如权利要求2-5任一所述制备高纯金属镱的方法，其特征在于先将含镱原料(9)装入坩埚(5)中并组装真空炉；抽真空，再将含镱原料(9)升温至1200-1600℃，控制冷凝温度150-350℃，得到纯度为99.999wt％的高纯金属镱。