[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包含：

一发光二极管；

一晶体管，其耦接至该发光二极管，该晶体管包含一源极/漏极；以及

一导电插塞，其包含位于该源极/漏极上的一端以及耦接至该发光二极管的另一端，其中该导电插塞与该源极/漏极之间的一接触面积小于1μm乘以1μm。

2.如权利要求1的发光装置，其中该导电插塞是由一同质介电质所包围。

3.如权利要求1的发光装置，其中该发光二极管是一有机发光二极管。

4.如权利要求1的发光装置，其中该发光二极管是位于一发光阵列中，且该发光阵列具有高于800ppi的一像素密度。

5.如权利要求1的发光装置，其中该导电插塞具有大于约0.7的一长宽比。

6.如权利要求1的发光装置，其中该源极/漏极具有与该导电插塞介接的一金属硅化物。

7.如权利要求1的发光装置，其中该晶体管包含一栅极层及位于该栅极层下方的一通道层，其中该源极/漏极位于该通道层的一端上。

8.如权利要求7的发光装置，其中该信道层的一厚度系不均匀，该通道层的一中央部分为突出一高度的一台面，该高度高于该源极/漏极。

9.一种发光装置，其包含：

一晶体管，其包含一栅极层及位于该栅极层下方的一介电质；

一电容，其耦接至该晶体管，且该电容包含一第一电极、位于该第一电极上方的一第二电极，以及位于该第一电极与该第二电极之间的一介电质；以及

一接触介电质，其分隔该晶体管与该电容，该接触介电质完全围绕该晶体管与该电容，其中该接触介电质是无氮的。

10.如权利要求9的发光装置，其中该栅极层的一厚度与该第一电极的一厚度实质上相同。

11.如权利要求9的发光装置，其中该电容的该介电质包含氮。

12.如权利要求9的发光装置，其中该电容是透过该晶体管的一源极/漏极耦接至该晶体管。

13.如权利要求9的发光装置，进一步包含一基板，该基板位于该晶体管与该电容下方。

14.如权利要求9的发光装置，其中该接触介电质包含二氧化硅。

15.一种发光装置，其包含：

一晶体管，其位于一基板上方，其中该基板包含至少二个聚合物层；

一电容，其位于该基板上方并耦接至该晶体管，该电容包含一第一电极、位于该第一电极上方的一第二电极，以及位于该第一电极与该第二电极之间的一介电质；以及

一接触介电质，其分隔该晶体管与该电容，该接触介电质完全围绕该晶体管与该电容，其中该接触介电质是无氮的。

16.如权利要求15的发光装置，其中该二个聚合物层的一者具有介于约1μm至约5μm的一厚度。

17.如权利要求15的发光装置，其中该二个聚合物层的一者的一黏度低于该二个聚合层的另一者。

18.如权利要求15的发光装置，其中该基板进一步包含一层，该层位于该二个聚合物层之间，且该层包含一无机层。

19.如权利要求18的发光装置，其中该层是一多层结构。

20.如权利要求18的发光装置，其中该层包含氧化硅，或氮化硅，或氧化铝。