[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

一发光装置包含一晶体管。该晶体管具有一栅极层以及位于该栅极层下方的一介电质。该发光装置亦包含耦接至该晶体管的一电容。该电容包含一第一电极、位于该第一电极上方的一第二电极，以及位于该第一电极与该第二电极之间的一介电质。该发光装置进一步包含一接触介电质，该接触介电质分隔该晶体管与该电容。该接触介电质完全围绕该电容与该晶体管，且该接触介电质是无氮的。

技术领域

本揭露是关于发光装置，特别是关于一种有机发光装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示已被广泛使用于大部分高阶电子装置中。然而，由于现今技术的限制，像素定义(pixel definition)是透过一遮罩将一发光材料涂布于一基板上而实现，且遮罩的临界尺寸(critical dimension)常无法小于100微米。因此，产生800ppi或更高的像素密度对显示器制造商而言是困难的任务。

发明内容

根据本揭露的一实施例，一发光装置包含一发光二极管及一晶体管。该晶体管是耦接至该发光二极管。该晶体管亦包含一源极/漏极。该发光装置包含一导电插塞，其具有座落于该源极/漏极上的一端及耦接至该发光二极管的另一端，其中该导电插塞与该源极/漏极之间的一接触面积是小于1μm乘以1μm。

在一些实施例中，该导电插塞是被一同质(homogeneous)介电质所围绕。

在一些实施例中，该发光二极管是一有机发光二极管。

在一些实施例中，该发光二极管是位于一发光阵列中，且该发光阵列具有大于800ppi的一像素密度。

在一些实施例中，该导电插塞具有大于约0.7的一长宽比。

在一些实施例中，该源极/漏极具有与该导电插塞介接的一金属硅化物。

在一些实施例中，该晶体管包含一栅极层及位于该栅极层下方的一通道层，其中该源极/漏极是位于该通道层的一端上。

在一些实施例中，该通道层的一厚度是不均匀，该通道层的一中央部分是突出一高度的一台面，该高度高于该源极/漏极。

根据本揭露的另一实施例，一种发光装置包含一晶体管。该晶体管包含一栅极层以及位于该栅极层下方的一介电质。该发光装置亦包含耦接至该晶体管的一电容。该电容包含一第一电极、位于该第一电极上方的一第二电极，以及位于该第一电极与该第二电极之间的一介电质。该发光装置进一步包含一接触介电质，其分隔该晶体管与该电容。该接触介电质完全围绕该晶体管与该电容，且该接触介电质是无氮的。

在一些实施例中，该栅极层的一厚度与该第一电极的一厚度实质上相同。

在一些实施例中，该电容的介电质包含氮。

在一些实施例中，该电容是透过该晶体管的一源极/漏极耦接至该晶体管。

在一些实施例中，进一步包含位于该晶体管与该电容下方的基板。

在一些实施例中，该接触介电质包含二氧化硅。

根据本揭露的又一实施例，一发光装置包含位于一基板上方的一晶体管，且该基板包含至少二个聚合物层及位于该二个聚合物层之间的一无机层。该发光装置亦包含位于该基板上方并耦接至该晶体管的一电容，该电容包含一第一电极、位于该第一电极上方的一第二电极，以及介于该第一与第二电极之间的一介电质。该发光装置进一步包含一接触介电质，其分隔该晶体管与该电容，该接触介电质完全围绕该电容与该晶体管，且该接触介电质是无氮的。

在一些实施例中，该两个聚合物层的一者的一厚度是介于约1μm至约5μm。在一些实施例中，该基板进一步包含配置于该两个聚合物层之间的一层，且该层包含一无机层。在一些实施例中，该层是一多层结构。

在一些实施例中，该两个聚合物层的一者包含氧化硅，或氮化硅，或氧化铝。