[发明专利]一种测量注入层光刻对准偏差的方法

权利要求书

1.一种测量注入层光刻对准偏差的方法，其特征在于，包括：

获得当第一离子注入区与第二离子注入区处于完全对准状态时的最大击穿电压；

将第一金属接地，第二金属进行正电压扫描，其中所述第一金属与所述第一离子注入区连接且所述第二金属与所述第二离子注入区连接，或所述第一金属与所述第二离子注入区连接且所述第二金属与所述第一离子注入区连接；

将测试电流为1mA时的电压记录为测试击穿电压；

计算注入层光刻对准偏差，其中注入层光刻对准偏差＝100％*(最大击穿电压-测试击穿电压)/最大击穿电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获得当所述第一离子注入区与所述第二离子注入区处于完全对准状态时的最大击穿电压具体包括：

通过收集多批产品的击穿电压，选择多批产品的击穿电压中电压值最大的为最大击穿电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区及所述第二离子注入区导电类型相同时，所述第一金属或所述第二金属接地。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区及所述第二离子注入区导电类型相反时，若所述第一离子注入区的导电类型为P型，则与所述第一离子注入区连接的所述第一金属或所述第二金属接地。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，将第一金属接地，第二金属进行正电压扫描具体包括：

所述第一金属的电压保持为0V，所述第二金属初始加0V电压，然后逐渐增大第二金属的电压，每增大一次电压读取一次测试电流值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区内设置有第一接触孔，所述第二离子注入区内设置有第二接触孔，所述第一金属和所述第二金属分别填满所述第一接触孔和所述第二接触孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的导电类型相同时，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的导电类型与有源区的导电类型相反。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的导电类型相反时，所述第一离子注入区或所述第二离子注入区的导电类型与所述有源区的导电类型相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的间隔距离大致为0.5um。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述有源区为高阻阱区。