[发明专利]在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件有效

申请号：	201811024602.5	申请日：	2013-09-27
公开（公告）号：	CN108807274B	公开（公告）日：	2023-04-28
发明（设计）人：	R·W·奥拉-沃;W·M·哈菲兹;C-H·简;P-C·刘	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/336
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	邬少俊;王英
地址：	美国加***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	共同衬底具有不同函数平面逻辑半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种集成电路结构，包括：

具有第一鳍状物的第一P型fin-FET器件，所述第一P型fin-FET器件包括具有第一层的第一栅极电极，所述第一层具有垂直于所述第一鳍状物的顶部之上的第一厚度；以及

具有第二鳍状物的第二P型fin-FET器件，所述第二P型fin-FET器件包括具有第二层的第二栅极电极，所述第二层具有与所述第一层相同的成分，所述第二层具有垂直于所述第二鳍状物的顶部之上的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，其中，所述第二P型fin-FET器件的所述第二栅极电极的栅极长度大于所述第一P型fin-FET器件的所述第一栅极电极的栅极长度。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一P型fin-FET器件是逻辑晶体管，并且所述第二P型fin-FET器件是I/O晶体管。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

位于所述第一鳍状物与所述第一栅极电极之间的第一栅极电介质；以及

位于所述第二鳍状物与所述第二栅极电极之间的第二栅极电介质。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质包括铪和氧。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一层和所述第二层包括铝。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一层和所述第二层包括钛。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一层和所述第二层包括金属碳化物。

8.一种集成电路结构，包括：

具有第一鳍状物的第一N型fin-FET器件，所述第一N型fin-FET器件包括具有第一金属层的第一栅极电极，所述第一金属层具有第一厚度；以及

具有第二鳍状物的第二N型fin-FET器件，所述第二N型fin-FET器件包括具有第二金属层的第二栅极电极，所述第二金属层具有与所述第一金属层相同的成分，所述第二金属层具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中，所述第二N型fin-FET器件的所述第二栅极电极的栅极长度大于所述第一N型fin-FET器件的所述第一栅极电极的栅极长度。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一N型fin-FET器件是逻辑晶体管，并且所述第二N型fin-FET器件是I/O晶体管。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括：

位于所述第一鳍状物与所述第一栅极电极之间的第一栅极电介质；以及

位于所述第二鳍状物与所述第二栅极电极之间的第二栅极电介质。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质包括铪和氧。

12.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包括铝。

13.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包括钛。

14.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包括金属碳化物。

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