[发明专利]一种植球方法和装置有效

专利信息
申请号: 201811027116.9 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109152237B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 范志敏;金亮 申请(专利权)人: 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518102 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 种植 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种植球方法,其特征在于,所述方法包括:

在植球设备腔室中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球,其中所述植球预制板中具有至少一个定位孔,所述待植球体表面设有金属镀层,所述金属镀层设置在预留的焊点位置上,所述定位孔与所述金属镀层对齐,所述焊片放置在所述植球预制板的定位孔中,所述植球放置在所述焊片上;

对所述腔室进行抽真空,并且充保护气体,以清除腔室中杂质气体;

在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行加热处理,使得所述焊片处于液化状态;其中,所述焊片为熔点低于所述植球和所述金属镀层的共晶焊片;

保持所述焊片处于液化状态达到预设时间;

在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行冷却处理;

其中,所述在植球设备腔室中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球包括:

在植球设备腔室中放置植球装置,其中所述植球装置包括下盖和上盖,所述下盖上设有孔槽,所述上盖上设有通透的孔洞,所述孔洞小于所述孔槽,所述孔洞与所述孔槽一一对应;

在所述下盖的孔槽中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球,所述上盖压在所述植球预制板上,所述孔洞与所述孔槽一一对齐;所述下盖、所述上盖和所述植球预制板均采用耐高温的磁性材料制成。

2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述保持所述焊片处于液化状态达到预设时间与所述在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行冷却处理之间还包括对所述腔室再次充保护气体,增大所述腔室的气压。

3.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行加热处理,使得所述焊片处于液化状态包括升温区升温、吸热区焊片熔化,其中,

所述升温区升温,控制腔室温度以第一温度速率上升至第一预设温度值;

所述吸热区焊片熔化,控制温度以第二温度速率上升至第二预设温度值,保持温度大于预设液化温度,直至焊片处于液化状态;

所述保持所述焊片处于液化状态达到预设时间包括:

控制温度以第三温度速率上至峰值温度;

保持所述峰值温度达到预设时间;

所述在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行冷却处理包括:

控制温度以第四温度速率下降到第三预设温度值;

当温度处于所述第三预设温度值时停止冷却。

4.根据权利要求3所述方法,其特征在于,所述在植球设备腔室中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球之前还包括对所述待植球体进行清洗。

5.根据权利要求3所述方法,其特征在于,所述植球设备为SST 5100真空烧结炉。

6.一种植球装置,包括上盖和下盖,其特征在于,按照待植球体的特性在所述下盖设有孔槽,按照待植球体的特性在所述上盖设有孔洞,所述孔洞小于所述孔槽,所述孔槽与所述孔洞一一对应,所述下盖和所述上盖采用磁性材料制成;所述待植球体表面设有金属镀层;所述植球装置还包括植球预制板,所述植球预制板上设有预设的定位孔;所述定位孔用于放置熔点低于植球和所述金属镀层的共晶焊片;所述植球预制板用磁性材料制成。

7.根据权利要求6所述植球装置,其特征在于,所述孔槽为圆槽,所述孔洞为圆洞。

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