[发明专利]一种植球方法和装置

说明书

本发明属于微组装技术领域，提供了一种植球方法和装置，该植球方法包括在植球设备中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球；对腔室进行抽真空，并且充保护气体，以清除腔室中杂质气体；在植球设备中对待植球体、植球预制板、焊片和植球进行加热处理，使得焊片处于液化状态；保持焊片处于液化状态达到预设时间；在植球设备中对待植球体、植球预制板、焊片和植球进行冷却处理。这样经过抽真空和充氮气可以减少腔室内的氧气，从而减少了在加热过程中，金属镀层表面被氧化的程度，从而减少了空洞，进而增加植球与焊片之间和焊片与金属镀层之间的接触面上的金属间化合物的占比，从而增加了焊片和金属镀层连接的牢固性。

技术领域

本发明涉及微组装技术领域，特别是涉及一种植球方法和装置。

背景技术

目前的BGA封装技术在植球过程中，采用膏状的锡膏作为植球和金属镀层之间的钎料，采用回流炉进行回流焊。在回流焊过程中锡膏不能够在金属镀层上充分熔化并吸附金属镀层和植球，使得在固化过程中植球和锡膏的结合面不够，导致固化后植球和金属镀层的结合力小，容易在受外力情况下，从金属镀层上脱落。

因此现有的植球工艺中，植球和金属镀层的连接不牢固。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种植球方法和装置。

一种植球方法包括，所述方法包括：

在植球设备腔室中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球，其中所述植球预制板中具有至少一个定位孔，所述待植球体表面设有金属镀层，所述金属镀层设置在预留的焊点位置上，所述定位孔与所述金属镀层对齐，所述焊片放置在所述植球预制板的定位孔中，所述植球放置在所述焊片上；

对所述腔室进行抽真空，并且充保护气体，以清除腔室中杂质气体；

在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行加热处理，使得所述焊片处于液化状态；

保持所述焊片处于液化状态达到预设时间；

在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行冷却处理。

在其中一个实施例中，所述在植球设备腔室中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球包括：

在植球设备腔室中放置植球装置，其中所述植球装置包括下盖和上盖，所述下盖上设有孔槽，所述上盖上设有通透的孔洞，所述孔洞小于所述孔槽，所述孔洞与所述孔槽一一对应；

在所述下盖的孔槽中依次放置待植球体、植球预制板、焊片和植球，所述上盖压在所述植球预制板上，所述孔洞与所述孔槽一一对齐。

在其中一个实施例中所述下盖、所述上盖和所述植球预制板均采用耐高温的磁性材料制成。

在其中一个实施例中，所述保护所述焊片处于液化状态达到预设时间与所述在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行冷却处理之间还包括对所述腔室再次充保护气体，增大所述腔室的气压；

在其中一个实施例中，所述在所述腔室中对所述待植球体、所述植球预制板、所述焊片和所述植球进行加热处理，使得所述焊片处于液化状态包括升温区升温、吸热区焊片熔化，其中，

所述升温区升温，控制腔室温度以第一温度速率上升至第一预设温度值；

所述吸热区焊片熔化，控制温度以第二温度速率上升至第二预设温度值,保持温度大于液化温度，直至焊片处于液化状态。

所述保持所述焊片处于液化状态达到预设时间包括：

控制温度以第三温度速率上至峰值温度；

保持所述峰值温度达到预设时间。