[发明专利]一种硅基光伏电池及其制造方法

权利要求书

1.一种硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一具有第一导电类型的单晶硅片，对所述单晶硅片进行双面制绒处理，在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成类金字塔微结构；

2)接着在所述单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一矩形沟槽，在所述单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二矩形沟槽，多个所述第一矩形沟槽和多个所述第二矩形沟槽分别一一对应，所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽的尺寸相同，且所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽在垂直方向上完全重叠，在所述步骤2)中，所述第一矩形沟槽与所述第二矩形沟槽的宽度均为5-10毫米，相邻所述第一矩形沟槽之间的间距为5-10毫米，所述第一矩形沟槽与所述第二矩形沟槽的深度均为60-80微米，所述第一矩形沟槽的底面与相应的所述第二矩形沟槽的底面之间的单晶硅片的厚度为100-120微米；

3)对多个所述第一矩形沟槽和多个所述第二矩形沟槽进行二次制绒处理，以在所述第一矩形沟槽和所述第二矩形沟槽各自的底面形成类金字塔微结构；

4)接着在所述单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和第二导电类型掺杂的第二非晶硅层；

5)接着在所述单晶硅片的下表面依次沉积第三本征非晶硅层和第一导电类型掺杂的第四非晶硅层；

6)接着在所述单晶硅片的上表面沉积第一透明导电层；

7)接着在所述单晶硅片的下表面沉积第二透明导电层；

8)在所述第一透明导电层上沉积第一栅电极；

9)在所述第二透明导电层上沉积第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：所述第一导电类型为N型且所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型且所述第二导电类型为N型。

3.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤4)中，所述第一本征非晶硅层的厚度为4-7纳米，所述第二非晶硅层的厚度为3-6纳米。

4.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述第三本征非晶硅层的厚度为6-9纳米，所述第四非晶硅层的厚度为5-10纳米。

5.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤6)和所述步骤7)中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质为ITO、FTO、铝掺杂氧化锌以及石墨烯中的一种或多种，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度为200-500纳米。

6.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤8)中，所述第一栅电极包括主栅线和副栅线，所述第一栅电极的所述主栅线位于所述第一矩形沟槽中，所述第一栅电极的材质为银、铜、钛、钯、金以及铝中的一种或多种，所述第一栅电极的厚度为500-3000纳米。

7.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：

在所述步骤9)中，所述第二栅电极包括主栅线和副栅线，所述第二栅电极的所述主栅线位于所述第二矩形沟槽中，所述第二栅电极的材质为银、铜、钛、钯、金以及铝中的一种或多种，所述第二栅电极的厚度为500-3000纳米。

8.一种硅基光伏电池，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制造形成的。