[发明专利]一种硅基光伏电池及其制造方法

说明书

本发明涉及一种硅基光伏电池及其制造方法，该硅基光伏电池的制造方法包括以下步骤：在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成类金字塔微结构；接着在所述单晶硅片的上下表面分别形成对应的第一矩形沟槽和第二矩形沟槽，所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽在垂直方向上完全重叠；然后在所述单晶硅片的上下表面沉积各非晶硅层、透明导电层以及栅电极。本发明的硅基光伏电池具有优异的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种硅基光伏电池及其制造方法。

背景技术

现有的异质结太阳能电池的制备过程中，通常是首先在硅片表面制备类金子塔结构以减少硅片的反光率；接着利用等离子体增强化学气相沉积法在具有类金子塔结构的n型单晶硅片的正面沉积本征非晶硅层和P型非晶硅层；接着是再在n型单晶硅片的背面沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层；然后利用磁控溅射技术在该n型单晶硅片的正面和背面均沉积透明导电层；最后通过丝网印刷在该n型单晶硅片的正面和背面分别制备电极。现有的异质结太阳能电池的结构有待进一步改进，进而提高异质结太阳能电池的光电转换效率。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种硅基光伏电池及其制造方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种硅基光伏电池的制造方法，包括以下步骤：

1)提供一具有第一导电类型的单晶硅片，对所述单晶硅片进行双面制绒处理，在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成类金字塔微结构；

2)接着在所述单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一矩形沟槽，在所述单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二矩形沟槽，多个所述第一矩形沟槽和多个所述第二矩形沟槽分别一一对应，所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽的尺寸相同，且所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽在垂直方向上完全重叠；

3)对多个所述第一矩形沟槽和多个所述第二矩形沟槽进行二次制绒处理，以在所述第一矩形沟槽和所述第二矩形沟槽各自的底面形成类金字塔微结构；

4)接着在所述单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和第二导电类型掺杂的第二非晶硅层；

5)接着在所述单晶硅片的下表面依次沉积第三本征非晶硅层和第一导电类型掺杂的第四非晶硅层；

6)接着在所述单晶硅片的上表面沉积第一透明导电层；

7)接着在所述单晶硅片的下表面沉积第二透明导电层；

8)在所述第一透明导电层上沉积第一栅电极；

9)在所述第二透明导电层上沉积第二栅电极。

上述硅基光伏电池的制造方法，进一步的，所述第一导电类型为N型且所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型且所述第二导电类型为N型。

上述硅基光伏电池的制造方法，进一步的，在所述步骤(2)中，所述第一矩形沟槽与所述第二矩形沟槽的宽度为5-10毫米，相邻所述第一矩形沟槽之间的间距为5-10毫米，所述第一矩形沟槽与所述第二矩形沟槽的深度为60-80微米，所述第一矩形沟槽的底面与相应的所述第二矩形沟槽的底面之间的单晶硅片的厚度为100-120微米。

上述硅基光伏电池的制造方法，进一步的，在所述步骤(4)中，所述第一本征非晶硅层的厚度为4-7纳米，所述第二非晶硅层的厚度为3-6纳米。

上述硅基光伏电池的制造方法，进一步的，在所述步骤(5)中，所述第三本征非晶硅层的厚度为6-9纳米，所述第四非晶硅层的厚度为5-10纳米。