[发明专利]静电放电保护电路在审
申请号: | 201811028968.X | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880747A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 杨士弘 | 申请(专利权)人: | 神讯电脑(昆山)有限公司;神基科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种静电放电保护电路,串联于一保护对象与一外部电路间,其特征在于,该静电放电保护电路包括:
一N型场效应管,具有一漏极耦接于该保护对象的一输入引脚、一源极耦接于一接地电压,以及一栅极耦接于该外部电路;
一二极管,具有一阳极耦接于该接地电压,以及一阴极与该N型场效应管的该栅极共同耦接于该外部电路。
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,还包括:
一第一电阻,且该二极管的该阴极与该N型场效应管的该栅极共同经由该第一电阻耦接于该外部电路。
3.如权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,该N型场效应管为一N型金氧半场效应管,且该保护对象的该输入引脚与该N型金氧半场效应管的该漏极还共同经由一第二电阻耦接于一参考电压,并当来自该外部电路的一静电电压而造成该N型金氧半场效应管的该栅极与该源极的电压差超过一临界电压时,该N型金氧半场效应管即被导通,使得该输入引脚的电压由高电平降至低电平。
4.如权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,该二极管为一齐纳二极管,且该齐纳二极管的规格选用依据该N型金氧半场效应管的栅极耐压而决定。
5.如权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,还包括与该齐纳二极管并联的一第三电阻。
6.一种静电放电保护电路,串联于一保护对象与一外部电路间,其特征在于,该静电放电保护电路包括:
一肖特基二极管,具有一阳极耦接于该保护对象的一输出引脚,以及一阴极耦接于该外部电路;以及
一二极管,具有一阳极耦接于一接地电压,以及一阴极与该肖特基二极管的该阴极共同耦接于该外部电路。
7.如权利要求6所述的静电放电保护电路,其特征在于,该二极管为一齐纳二极管,且该齐纳二极管的规格选用依据该肖特基二极管所能阻挡的逆向电压而决定。
8.如权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,还包括一电阻,且该齐纳二极管的该阴极与该肖特基二极管的该阴极共同经由该电阻耦接于该外部电路。
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