[发明专利]静电放电保护电路

说明书

本案揭示一种静电放电保护电路，串联于保护对象与外部电路间，且其包括一N型场效应管及一二极管，所述N型场效应管具有漏极耦接于保护对象的输入引脚、源极耦接于接地电压，以及栅极耦接于外部电路，且所述二极管则具有阳极耦接于接地电压，以及阴极与所述N型场效应管的栅极共同耦接于外部电路。利用本发明的静电放电保护电路，可以是于保护对象与其它外部电路相连接的输入/输出引脚上，分别加入N型金氧半场效应管与肖特基二极管，以作为保护对象抗静电放电时的新解决方案。

【技术领域】

本发明是有关于一种串联于保护对象与外部电路间的静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)保护电路，且特别是一种能够增加保护对象对静电放电的电压耐受度的静电放电保护电路。

【背景技术】

通常在保护对象，例如微控制器(MCU)中只要有输入/输出引脚(I/O Pin)需与其它外部电路相连接时，现有技术就必须测试静电放电，并且在保护对象与外部电路间加上齐纳(Zener)二极管或瞬态电压抑制(TVS)二极管等保护元件，来作为保护对象抗静电放电时的解决方案。但是往往因保护对象对静电放电的电压耐受度较低，且上述各保护元件间的误差较大，以致于现有技术很难挑选到适合的保护元件，并且可能影响到保护对象对侦测输入/输出引脚为高或低电平的能力。

【发明内容】

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种能够增加保护对象对静电放电的电压耐受度的静电放电保护电路。为达上述目的，本发明实施例提供一种静电放电保护电路，串联于保护对象与外部电路间，且其包括一N型场效应管及一二极管。所述N型场效应管具有漏极耦接于保护对象的输入引脚、源极耦接于接地电压，以及栅极耦接于外部电路，且所述二极管则具有阳极耦接于接地电压，以及阴极与所述N型场效应管的栅极共同耦接于外部电路。

本发明实施例另提供一种静电放电保护电路，串联于保护对象与外部电路间，且其包括一肖特基(Schottky)二极管及一二极管。所述肖特基二极管具有阳极耦接于保护对象的输出引脚，以及阴极耦接于外部电路，且所述二极管具有阳极耦接于接地电压，以及阴极与所述肖特基二极管的阴极共同耦接于外部电路。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。

【附图说明】

图1是本发明实施例所提供的静电放电保护电路的电路示意图。

图2是本发明另一实施例所提供的静电放电保护电路的电路示意图。

【具体实施方式】

在下文中，将通过图式说明本发明的各种实施例来详细描述本发明。然而，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。此外，在图式中相同参考数字可用以表示类似的元件。

仔细地说，本发明实施例所提供的静电放电保护电路，可以是串联于任何保护对象与任何外部电路间，总而言之，本发明均不限制保护对象与外部电路的具体实现方式，本技术领域中具有通常知识者应可依据实际需求或应用来进行相关设计。为了方便以下说明，本实施例仅是以所述保护对象为微控制器(MCU)的例子来进行说明，但其并非用以限制本发明。请参阅图1，图1是本发明实施例所提供的静电放电保护电路的电路示意图。

如图1所示，静电放电保护电路10包括N型场效应管T1及二极管D1。所述N型场效应管T1具有漏极耦接于保护对象，即微控制器20的输入引脚P1、源极耦接于接地电压GND，以及栅极耦接于外部电路30，且所述二极管D1则具有阳极耦接于接地电压GND，以及阴极与所述N型场效应管T1的栅极共同耦接于外部电路30。另外，在本实施例中，静电放电保护电路10还可以包括电阻R1，且二极管D1的阴极与N型场效应管T1的栅极共同经由电阻R1耦接于外部电路30。