[发明专利]光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置

权利要求书

1.一种光刻方法，包括：

提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；

在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；

烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理；

其中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：

至少对涂覆在所述中间区域的所述光刻胶进行第二曝光处理；

在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：

对涂覆在所述中间区域和所述周边区域的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述衬底基板的所述中间区域中形成光刻胶图案，并去除所述周边区域中的所述光刻胶；

其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜。

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一曝光处理包括：

采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。

3.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述光刻胶为正性光刻胶。

4.一种柔性基板的制备方法，包括：

在支撑基板上形成柔性材料层，其中，所述支撑基板包括柔性基板形成区域和围绕所述柔性基板形成区域的周边区域；

在所述柔性材料层上采用光刻工艺进行构图，其中，所述光刻工艺包括涂覆一层光刻胶并烘干所述光刻胶，所述光刻胶涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中；

在烘干所述光刻胶的同时，对涂覆在所述周边区域的所述光刻胶进行第一曝光处理；

其中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：

至少对涂覆在所述柔性基板形成区域的所述光刻胶进行第二曝光处理；

在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：

对涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述柔性基板形成区域形成光刻胶图案，并去除所述周边区域的所述光刻胶；

其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜以用于所述构图。

5.根据权利要求4所述的柔性基板的制备方法，其中，所述光刻胶为正性光刻胶。

6.根据权利要求4所述的柔性基板的制备方法，其中，所述第一曝光处理包括：

采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。

7.根据权利要求6所述的柔性基板的制备方法，其中，所述光的出射范围形成为矩形框形状，所述矩形框的边框的宽度为8-15mm。

8.根据权利要求7所述的柔性基板的制备方法，还包括：在所述光刻工艺后，将所述柔性材料层从所述支撑基板上剥离，以形成柔性基板。