[发明专利]光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置

说明书

一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。该光刻方法包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，该衬底基板包括中间区域和围绕中间区域的周边区域；在衬底基板上涂覆一层光刻胶，该光刻胶涂覆在中间区域和周边区域中；烘干光刻胶，同时对涂覆在周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。该光刻方法在烘干光刻胶的同时对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于周边区域中的光刻胶得到更充分的曝光。

技术领域

本公开的实施例涉及一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。

背景技术

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(光刻胶)将掩膜版上的图形转移到待刻蚀基片上的技术。光刻技术的主要流程例如包括：将光源发出的光通过掩膜版照射到涂覆有一层光刻胶薄膜的待刻蚀基片表面，使得曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影工艺溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀工艺将该图形转移到待刻蚀基片上。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述中间区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：对涂覆在所述中间区域和所述周边区域的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述衬底基板的所述中间区域中形成光刻胶图案，并去除所述周边区域中的所述光刻胶；其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，所述第一曝光处理包括：采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。

例如，本公开至少一实施例提供的光刻方法中，所述光刻胶为正性光刻胶。

本公开至少一实施例提供一种柔性基板的制备方法，包括：在支撑基板上形成柔性材料层，其中，所述支撑基板包括柔性基板形成区域和围绕所述柔性基板形成区域的周边区域；在所述柔性材料层上采用光刻工艺进行构图，其中，所述光刻工艺包括涂覆一层光刻胶并烘干所述光刻胶，所述光刻胶涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中；在烘干所述光刻胶的同时，对涂覆在所述周边区域的所述光刻胶进行第一曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，在烘干所述光刻胶之后，所述方法还包括：至少对涂覆在所述柔性基板形成区域的所述光刻胶进行第二曝光处理。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，所述光刻胶为正性光刻胶。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，在所述第二曝光处理之后，所述方法还包括：对涂覆在所述柔性基板形成区域和所述周边区域中的所述光刻胶进行显影工艺，以在所述柔性基板形成区域形成光刻胶图案，并去除所述周边区域的所述光刻胶；其中，所述光刻胶图案用作刻蚀掩膜以用于所述构图。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，所述第一曝光处理包括：采用导光装置对曝光光源发出的光进行引导，使得经所述导光装置引导的光的出射范围对应于所述周边区域。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法中，所述光的出射范围形成为矩形框形状，所述矩形框的边框的宽度为8-15mm。

例如，本公开至少一实施例提供的柔性基板的制备方法，还包括：在所述光刻工艺后，将所述柔性材料层从所述支撑基板上剥离，以形成柔性基板。