[发明专利]制造半导体存储器设备的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体存储器设备的方法，所述方法包括：

在基板上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成孔；

在所述孔中形成金属层以填充所述孔，其中，在所述孔中形成所述金属层包括在所述孔中形成所述金属层以封闭所述孔的开口；

移除所述金属层的位于所述绝缘层上的部分；

在移除所述金属层的位于所述绝缘层上的所述部分以后，通过采用具有第一角度的离子束进行蚀刻来移除所述绝缘层的表面和所述金属层的表面，其中，所述绝缘层和所述金属层二者都以第一蚀刻速率采用具有所述第一角度的所述离子束进行蚀刻，并且其中，移除所述金属层的所述表面包括移除所述孔中的所述金属层的顶表面上的金属的氧化物，包括暴露所述金属层的第一表面，并且在所述孔中的所述金属层以及所述绝缘层之上形成连续表面；以及

在所述金属层上形成电阻变化元件，其中，在所述金属层上形成所述电阻变化元件包括：在所述金属层的所述第一表面上形成所述电阻变化元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

在RIE中，所述金属层和所述绝缘层分别具有第二蚀刻速率和第三蚀刻速率，以及

所述第三蚀刻速率与所述第二蚀刻速率不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

随着所述离子束的角度的增加，采用所述离子束的所述蚀刻中所述金属层的蚀刻速率以第一变化率变化，

随着所述角度的增加，采用所述离子束的所述蚀刻中的所述绝缘层的蚀刻速率以第二变化率变化，以及

所述第二变化率与所述第一变化率不同。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

当所述离子束的角度是小于所述第一角度的第二角度时，采用所述离子束的所述蚀刻中的所述绝缘层的蚀刻速率小于所述第一蚀刻速率，以及

当所述离子束的所述角度是大于所述第一角度的第三角度时，采用所述离子束的所述蚀刻中的所述绝缘层的蚀刻速率大于所述第一蚀刻速率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中

所述金属层包括W、Ta、Ru、Ti、TaN和TiN中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中

所述绝缘层包括SiN和SiO₂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中

在形成所述金属层之后，在所述金属层的所述表面上形成氧化物层；以及

当采用所述离子束移除所述绝缘层的所述表面和所述金属层的所述表面时，移除所述氧化物层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中

所述金属层的所述形成包括：

在所述孔中和所述孔外的所述绝缘层上形成所述金属层；以及

移除所述孔外的所述绝缘层上的所述金属层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中

通过化学机械抛光移除所述孔外的所述绝缘层上的所述金属层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中

所述电阻变化元件包括第一磁性层、第二磁性层、以及所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的非磁性层。