[发明专利]制造半导体存储器设备的方法有效
| 申请号： | 201811030495.7 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110277491B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 园田康幸;丁潽敬 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司;SK海力士公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 存储器 设备 方法 | ||
本公开提出制造半导体存储器设备的方法。根据一个实施例，在基板上形成绝缘层。在绝缘层中形成孔。在孔中形成金属层以填充孔。通过采用具有第一角度的离子束进行蚀刻来移除绝缘层的表面和金属层的表面，该离子束以第一蚀刻速率蚀刻绝缘层和金属层二者。在金属层上形成电阻变化元件。
技术领域
在此描述的实施例一般涉及制造半导体存储器设备的方法。
背景技术
磁随机存取存储器(MRAM)是包括具有磁阻效应的存储器元件作为用于存储信息的存储器单元的存储器设备。MRAM作为下一代存储器设备受到关注，其特征在于高速操作、大容量和非易失性。
附图说明
图1是根据实施例的半导体存储器设备的整体配置的框图；
图2是根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元阵列的视图；
图3是根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的横截面视图；
图4A是根据实施例的半导体存储器设备中的电阻变化元件的横截面视图；
图4B是用于说明根据实施例的半导体存储器设备中的电阻变化元件的写入的横截面视图，其中电阻变化元件处于平行状态(P状态)；
图4C是用于说明根据实施例的半导体存储器设备中的电阻变化元件的写入的横截面视图，其中电阻变化元件处于反平行状态(AP状态)；
图5是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图6是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图7是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图8是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图9是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图10是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图11是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图12是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图13是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的横截面视图；
图14是示出IBE中的离子束的角度与蚀刻速度之间的关系的视图；
图15是示出根据实施例的半导体存储器设备的存储器单元的制造过程的比较例的横截面视图；以及
图16是示出图3中所示的存储器单元的修改的横截面视图。
具体实施方式
根据一个实施例，在基板上形成绝缘层。在绝缘层中形成孔。在孔中形成金属层以填充孔。通过采用具有第一角度的离子束进行蚀刻来移除绝缘层的表面和金属层的表面，该离子束以第一蚀刻速率蚀刻绝缘层和金属层。在金属层上形成电阻变化元件。
以下将参考附图描述实施例。在附图中，相同的部件由相同的附图标记表示。
实施例
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