[发明专利]起振电路及芯片

权利要求书

1.一种起振电路，用于晶体的振荡，包括用于连接输入电源的电源输入端，其特征在于，还包括偏置电流模块、基准电压模块、起振电压模块、放大模块及比较模块；

所述偏置电流模块的输入端连接所述电源输入端，偏置电流模块的输出端分别连接所述基准电压模块的受控端、起振电压模块的受控端及放大模块的受控端，所述基准电压模块的输入端连接所述电源输入端，输出端连接所述比较模块的第一输入端；所述起振电压模块的输入端连接所述电源输入端，输出端连接所述晶体的第一端，所述放大模块的输入端连接所述电源输入端，所述放大模块的反馈放大端连接所述晶体的第一端，所述晶体的第一端连接所述比较模块的第二输入端，所述晶体的第二端接地；

所述偏置电流模块用于为所述基准电压模块、起振电压模块及放大模块提供恒定的偏置电流；

所述基准电压模块用于为所述比较模块的第一输入端提供稳定的基准电压；

所述起振电压模块用于为所述晶体提供起振所需的起振电压；

所述放大模块用于接收所述晶体根据所述起振电压产生的晶体振荡信号，并对所述晶体振荡信号进行放大；

所述比较模块用于在所述第二输入端输入的电压高于所述基准电压时输出第一电平，在所述第二输入端输入的电压低于所述基准电压时输出第二电平，所述第一电平高于所述第二电平。

2.根据权利要求1所述的起振电路，其特征在于，所述偏置电流模块包括P沟道场效应管MP1、P沟道场效应管MP2、P沟道场效应管MP3、P沟道场效应管MP4、P沟道场效应管MP5、P沟道场效应管MP6、N沟道场效应管MN1、N沟道场效应管MN2、N沟道场效应管MN3及P沟道场效应管MN4，所述P沟道场效应管MP1的源极、所述P沟道场效应管MP2的源极和P沟道场效应管MP5的源极都连接所述电源输入端，所述P沟道场效应管MP1的漏极连接所述P沟道场效应管MP3的源极，所述P沟道场效应管MP1的栅极连接所述P沟道场效应管MP2的栅极和漏极，所述P沟道场效应管MP2的栅极和漏极短接后接入P沟道场效应管MP4的源极和所述P沟道场效应管MP5的栅极，P沟道场效应管MP3的栅极连接所述P沟道场效应管MP4的栅极和漏极，所述P沟道场效应管MP3的漏极连接所述N沟道场效应管MN1的漏极和栅极，所述P沟道场效应管MP4的栅极和漏极短接后接入所述N沟道场效应管MN2的漏极和所述P沟道场效应管MP6的栅极，所述N沟道场效应管MN1的源极接地，所述N沟道场效应管MN1的栅极和漏极短接后接入所述N沟道场效应管MN2的栅极，所述N沟道场效应管MN2的源极连接所述N沟道场效应管MN3的源极和所述N沟道场效应管MN4的漏极，所述N沟道场效应管MN3的栅极和漏极短接后接入所述P沟道场效应管MP6的漏极，所述N沟道场效应管MN4的栅极连接所述N沟道场效应管MN3的栅极，所述N沟道场效应管MN4的源极接地，所述P沟道场效应管MP5的漏极连接所述P沟道场效应管MP6的源极，所述偏置电流模块的输出端连接所述P沟道场效应管MP5的栅极。

3.根据权利要求1所述的起振电路，其特征在于，所述基准电压模块包括第一电流源和N沟道场效应管MN6，所述第一电流源的受控端连接所述偏置电流模块的输出端，所述第一电流源的输入端连接所述电源输入端，所述第一电流源的输出端连接所述N沟道场效应管MN6的漏极和所述第一输入端，所述N沟道场效应管MN6的栅极和漏极短接，所述N沟道场效应管MN6的源极接地。

4.根据权利要求3所述的起振电路，其特征在于，所述第一电流源包括P沟道场效应管MP9，所述P沟道场效应管MP9的源极连接所述电源输入端，所述P沟道场效应管MP9的栅极连接所述偏置电流模块的输出端，所述P沟道场效应管MP9的漏极连接所述N沟道场效应管MN6的漏极和所述第一输入端。

5.根据权利要求1所述的起振电路，其特征在于，所述起振电压模块包括第二电流源、N沟道场效应管MN5和电阻R1，所述第二电流源的受控端连接所述偏置电流模块的输出端，所述第二电流源的输入端连接所述电源输入端，所述第二电流源的输出端连接所述N沟道场效应管MN5的栅极和漏极，所述N沟道场效应管MN5的栅极和漏极短接，所述N沟道场效应管MN5的源极接地，所述电阻R1串联于所述第二电流源的输出端、所述N沟道场效应管MN5的漏极的公共端和所述晶体的第一端之间。