[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成栅电极；

通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极，包括：

依次沉积绝缘层薄膜、氧化物半导体薄膜、透明导电薄膜和金属薄膜；

在所述金属薄膜上涂覆一层光刻胶，使用多色调掩膜版对所述光刻胶进行阶梯曝光，显影后形成未曝光区域、少量曝光区域、大量曝光区域和完全曝光区域，所述未曝光区域具有第一厚度的光刻胶，所述少量曝光区域具有第二厚度的光刻胶，所述大量曝光区域具有第三厚度的光刻胶，所述完全曝光区域无光刻胶，第一厚度>第二厚度>第三厚度；

通过第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全曝光区域的金属薄膜、透明导电薄膜和氧化物半导体薄膜；

通过第一次灰化处理，去除所述大量曝光区域的光刻胶；

通过第二次刻蚀，刻蚀掉所述大量曝光区域的金属薄膜和透明导电薄膜；

通过第二次灰化处理，去除所述少量曝光区域的光刻胶；

通过第三次刻蚀，刻蚀掉所述少量曝光区域的金属薄膜，剥离剩余光刻胶，形成覆盖所述栅电极的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的氧化物有源层、设置在所述氧化物有源层上的源电极、漏电极和像素电极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述源电极为金属材料，所述源电极与氧化物有源层之间还形成有透明导电材料的连接层，所述漏电极和像素电极为透明导电材料的一体结构。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一次刻蚀、第二次刻蚀和第三次刻蚀均采用湿法刻蚀。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一氮化硅薄膜和第一氧化硅薄膜，沉积绝缘层薄膜包括：依次沉积第一氮化硅薄膜和第一氧化硅薄膜。

6.根据权利要求1～5任一所述的制备方法，其特征在于，形成栅电极，包括：通过同一次构图工艺在基底上形成栅电极和公共电极线。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

形成覆盖所述源电极、漏电极和像素电极的第二绝缘层，其上开设有暴露出所述公共电极线的第一过孔；

在所述第二绝缘层上形成公共电极，所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极线连接。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘层包括第二氧化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，形成覆盖所述源电极、漏电极和像素电极的第二绝缘层，包括：

沉积第二氧化硅薄膜；

对所述氧化物有源层和像素电极进行退火处理；

沉积第二氮化硅薄膜；

通过构图工艺形成开设有第一过孔的第二绝缘层，所述第一过孔暴露出所述公共电极线。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括设置在基底上的栅电极，覆盖所述栅电极的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的氧化物有源层，设置在所述氧化物有源层上的源电极、漏电极和像素电极。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极为金属材料，所述源电极与氧化物有源层之间还形成有透明导电材料的连接层，所述漏电极和像素电极为透明导电材料的一体结构。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极、漏电极和像素电极在基底上的正投影位于所述氧化物有源层在基底上的正投影内，所述源电极远离像素电极的端部在基底上的正投影与所述氧化物有源层远离像素电极的端部在基底上的正投影重合，所述像素电极远离源电极的端部在基底上的正投影与所述氧化物有源层远离源电极的端部在基底上的正投影重合。