[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板的制备方法包括：形成栅电极；通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极。阵列基板包括设置在基底上的栅电极，覆盖所述栅电极的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的氧化物有源层，设置在所述氧化物有源层上的源电极、漏电极和像素电极。本发明减少了2次构图工艺，最大限度地简化了工艺流程，大幅度降低了生产成本，提高了产能，同时避免了高压射频等离子体对氧化物有源层的轰击，提高了薄膜晶体管电学稳定性和工作可靠性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，大尺寸高清显示已经逐渐成为液晶显示装置(LiquidCrystal Display，LCD)和有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)的主要发展方向。

研究表明，传统的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术虽然工艺较为简单，技术比较成熟，但其较低的电子迁移率(0.5～1cm²/Vs)和开关电流比越来越难以满足大尺寸高清面板的显示需求。

低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管技术虽然拥有很高的电子迁移率(～100cm²/Vs)和开关电流比，但由于其制程十分复杂，制备大面积面板时工艺均一性差，良率较低，生产成本居高不下，因此难以满足大尺寸高清面板的量产需求。

新型的氧化物(Oxide)薄膜晶体管技术不仅具有较高的电子迁移率(～10cm²/Vs)和开关电流比，而且可以在低温下制备大面积均一性好的非晶态薄膜，且受可见光影响小，非常适合制备大尺寸高清面板。

但经本申请发明人研究发现，目前量产的氧化物薄膜晶体管的制作工艺复杂，生产成本较高，且氧化物薄膜晶体管的电学稳定性较差，工作可靠性较低。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以简化制作工艺，降低生产成本，同时提高氧化物薄膜晶体管的电学稳定性和工作可靠性。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

形成栅电极；

通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极。

可选地，通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极，包括：

依次沉积绝缘层薄膜、氧化物半导体薄膜、透明导电薄膜和金属薄膜；

在所述金属薄膜上涂覆一层光刻胶，使用多色调掩膜版对所述光刻胶进行阶梯曝光，显影后形成未曝光区域、少量曝光区域、大量曝光区域和完全曝光区域，所述未曝光区域具有第一厚度的光刻胶，所述少量曝光区域具有第二厚度的光刻胶，所述大量曝光区域具有第三厚度的光刻胶，所述完全曝光区域无光刻胶，第一厚度>第二厚度>第三厚度；

通过第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全曝光区域的金属薄膜、透明导电薄膜和氧化物半导体薄膜；

通过第一次灰化处理，去除所述大量曝光区域的光刻胶；

通过第二次刻蚀，刻蚀掉所述大量曝光区域的金属薄膜和透明导电薄膜；

通过第二次灰化处理，去除所述少量曝光区域的光刻胶；

通过第三次刻蚀，刻蚀掉所述少量曝光区域的金属薄膜，剥离剩余光刻胶，形成覆盖所述栅电极的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的氧化物有源层、设置在所述氧化物有源层上的源电极、漏电极和像素电极。