[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，

该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

第1对准工序，通过拍摄单元所具有的利用可见光进行拍摄的照相机对该晶片的正面侧利用可见光进行拍摄而检测对准标记，根据该对准标记来检测待切削的该分割预定线；

切削槽形成工序，在实施了该第1对准工序之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；

密封工序，在实施了该切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该切削槽的正面密封；

第2对准工序，在实施了该密封工序之后，通过该拍摄单元所具有的红外线拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料对该晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线；

改质层形成工序，在实施了该第2对准工序之后，将对于该密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该切削槽中的该密封材料的内部，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射激光束而在该切削槽中的该密封材料的内部形成改质层；

磨削工序，在实施了该改质层形成工序之后，从该晶片的背面侧将该晶片磨削至该器件芯片的完工厚度而使该切削槽中的该密封材料露出；以及

分割工序，在实施了该磨削工序之后，对该切削槽中的该密封材料赋予外力而以该改质层为分割起点将该晶片分割成正面和4个侧面被该密封材料围绕的各个器件芯片，

在该密封工序中，通过具有使该红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性的密封材料对该晶片的正面进行密封。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在所述对准工序中使用的所述红外线拍摄构件包含InGaAs拍摄元件。