[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过红外线拍摄构件对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据对准标记来检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将对于密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在切削槽中的密封材料的内部而照射激光束而形成改质层；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；和分割工序，对切削槽中的密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，对晶片进行加工而形成5S模制封装。

背景技术

作为实现LSI或NAND型闪存等各种器件的小型化和高密度安装化的构造，例如，对器件芯片按照芯片尺寸进行封装而得的芯片尺寸封装(CSP)已被用于实际的使用中，并被广泛地使用于移动电话、智能手机等。此外，近年来，在该CSP中，开发并实用化了不仅利用密封材料将芯片的正面密封还将整个侧面密封的CSP，即，所谓的5S模制封装。

以往的5S模制封装是通过以下工序制作的。

(1)在半导体晶片(以下，有时大致称为晶片)的正面上形成被称为器件(电路)和凸块的外部连接端子。

(2)从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削，形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽。

(3)利用含有炭黑的密封材料将晶片的正面密封。

(4)将晶片的背面侧磨削到器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出。

(5)由于晶片的正面被含有炭黑的密封材料密封，所以将晶片正面的外周部分的密封材料去除而使目标图案等对准标记露出，实施根据该对准标记来检测待切削的分割预定线的对准。

(6)根据对准，从晶片的正面侧沿着分割预定线对晶片进行切削，从而分割成正面和整个侧面被密封材料密封的5S模制封装。

如上述那样，由于晶片的正面被包含炭黑的密封材料密封，所以形成于晶片正面的器件等完全无法用肉眼看到。为了解决该问题以便能够进行对准，如上述(5)所记载的那样，本申请人开发出如下的技术：将晶片正面的密封材料的外周部分去除而使目标图案等对准标记露出，根据该对准标记来检测待切削的分割预定线，从而执行对准(参照日本特开2013-074021号公报和日本特开2016-015438号公报)。

专利文献1：日本特开2013-074021号公报

专利文献2：日本特开2016-015438号公报

然而，在上述公开公报所记载的对准方法中，需要代替切割用的切削刀具而将边缘修整用的宽度较宽的切削刀具安装于主轴从而将晶片的外周部分的密封材料去除的工序，切削刀具的更换和通过边缘修整来去除外周部分的密封材料需要花费时间和劳力，存在生产性较差的问题。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供能够透过包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料来实施对准工序的晶片的加工方法。