[发明专利]狭缝结构及其制备方法、半导体存储器件及制备方法

权利要求书

1.一种狭缝结构的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤：

S100，提供一衬底；

S200，在所述衬底上涂覆光刻胶层；

S300，在所述光刻胶层形成第一沟槽；

S400，沉积覆盖所述光刻胶层及所述第一沟槽的侧壁及底部的间隔层，形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；

S500，对所述间隔层进行改性，使得间隔层不同区域具有不同的蚀刻速率；

S600，蚀刻改性后的所述间隔层，在所述衬底上形成狭缝结构，所述狭缝结构的宽度小于所述第一沟槽的宽度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S500，对所述间隔层进行改性包括在覆盖所述第一沟槽的侧壁及所述光刻胶层的间隔层部分和覆盖所述第一沟槽底部的间隔层部分分别掺杂不同的离子。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S500，对所述间隔层进行改性包括在所述间隔层中注入离子，并且控制覆盖所述第一沟槽的侧壁及所述光刻胶层的间隔层部分和覆盖所述第一沟槽底部的间隔层部分分别具有不同的离子浓度。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S500，对所述间隔层进行改性包括在所述覆盖第一沟槽的侧壁及所述光刻胶层的间隔层部分掺杂离子。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，以离子注入的方式对所述间隔层进行改性，所述离子的注入角度大于0°小于arc tan A/B，其中A是所述第二沟槽的深度，B是所述第二沟槽的宽度。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的深度介于2nm～1000nm，强度介于2KeV～900KeV。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，注入的所述离子包括硼离子或者磷离子。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述间隔层包括氧化硅层或氮化硅层。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S600，蚀刻改性后的所述间隔层，在所述衬底上形成狭缝结构的步骤包括：

干法蚀刻改性后的所述间隔层；

蚀刻所述衬底形成狭缝结构。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻所述衬底形成狭缝结构后，还包括以下步骤：

去除所述覆盖所述光刻胶层及所述第一沟槽的侧壁及底部的间隔层；

去除所述光刻胶层。

11.根据权利要求1-10任意一项所述的制备方法，其特征在于：在所述衬底上涂覆光刻胶层之前还包括在所述衬底上形成半导体层的步骤。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于：所述蚀刻改性后的所述间隔层，在所述衬底上形成狭缝结构的步骤中还包括对所述半导体层进行蚀刻的步骤。

13.根据权利要求1-10任意一项所述的制备方法，其特征在于：在所述衬底上涂覆光刻胶层之前还包括在所述衬底上形成硬掩模的步骤，所述硬掩模包括SiN、SiO₂、TaN和TiN中的一种或它们的组合。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于：所述蚀刻改性后的所述间隔层，在所述衬底上形成狭缝结构的步骤中还包括：

蚀刻所述硬掩模，在所述硬掩模上形成第三沟槽；

蚀刻所述衬底，通过所述硬掩模将所述第三沟槽转移到所述衬底上，形成狭缝结构。

15.一种狭缝结构，其特征在于，所述狭缝结构包括：

衬底，

所述衬底上具有多个狭缝结构，所述狭缝结构的深宽比介于1：500～500：1。