[发明专利]用于EUV光刻的掩模版

权利要求书

1.一种制造掩模版的方法，其包括：

提供一种组件，该组件包括：

极紫外镜；

至少覆盖极紫外镜的底部的腔；

腔中存在的第一类的第一自组装单层；和

存在于不形成腔的一部分的一个表面上的第二类的第二自组装单层；和

通过在腔中选择性地形成极紫外吸收结构来使腔至少部分地被包含金属材料的极紫外吸收结构填充，所述金属材料包含选自Ni、Co、Sb、Ag、In和Sn的元素，其中

所述第一自组装单层构造为促进在腔中选择性形成极紫外吸收结构，和

所述第二自组装单层构造为防止在其上形成极紫外吸收结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔是以下情况中的任一种：

所述腔包含在覆盖极紫外镜的电介质掩模层中，所述腔具有从电介质掩模层的顶表面延伸到电介质掩模层的底表面的深度，或

所述腔包含在极紫外镜中，所述腔具有从极紫外镜的顶表面延伸到高于极紫外镜底表面的平面的深度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述极紫外吸收结构包括与间隔层交替的金属极紫外吸收材料的层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在腔中选择性地形成极紫外吸收结构包括通过无电沉积形成极紫外吸收结构。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组件还包括在极紫外镜上的覆盖层，其中所述腔使覆盖层的一部分暴露。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述覆盖层为Ru层、Rh层或TiO₂/RuO₂多层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述组件还包括在极紫外镜上的覆盖层和在覆盖层上的蚀刻停止层，其中所述腔使蚀刻停止层的一部分暴露。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，极紫外吸收结构嵌入极紫外镜中，使得所述极紫外吸收结构的底表面低于极紫外镜的顶表面，并且极紫外吸收结构的顶表面高于极紫外镜的顶表面或与极紫外镜的顶表面处于同一水平面。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，晶种层覆盖极紫外镜，并且所述腔在所述晶种层上开口。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔通过以下方式形成：在极紫外镜上方提供电介质掩模层，然后对所述电介质掩模层进行图案化以形成腔。

11.如权利要求10所述的方法，还包括相对于以下对象选择性地去除电介质掩模层：

极紫外吸收结构，和

极紫外镜。

12.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述腔通过以下方式形成：在极紫外镜上方提供电介质掩模层，然后对所述电介质掩模层进行图案化以形成腔；

所述方法还包括相对于以下对象选择性地去除电介质掩模层：

极紫外吸收结构，和

覆盖层。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，极紫外吸收结构的厚度是60nm或更低。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，极紫外吸收结构的厚度是50nm或更低。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，极紫外吸收结构的厚度是35nm或更低。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述极紫外吸收结构包括由Ni、Co、Ag、CoWP或NiPt或掺杂有最多20原子％B的Ni构成的层。