[发明专利]用于EUV光刻的掩模版

说明书

一种制造极紫外掩模版的方法，其包括：a.提供一种组件，该组件包括：(i)极紫外镜(2)；和(ii)至少覆盖极紫外镜的底部的腔；b.通过在腔中相对于不形成腔的部分的任何表面选择性地形成极紫外吸收结构来使腔被极紫外吸收结构填充。

技术领域

本发明涉及光刻领域。更具体地，本发明涉及用于极紫外光刻(EUVL)的掩模版(reticle)的制造。

背景技术

在IC制造中，基于摩尔定律的特征尺寸的连续减小需要转换到EUVL以图案化具有小于10nm的临界尺寸(CD)值的特征。EUVL使用13.5nm光使单次曝光图案化低至10nm以下，因此可以跟上摩尔定律。

在光刻期间，存在于用于EUVL的掩模版中的多层镜上方的吸收材料在EUV光的吸收方面起重要作用。因此，希望吸收材料具有高消光系数k值。目前，Ta基吸收剂材料用于EUV掩模版,其厚度通常为70nm。然而，这些传统的EUV掩模遭受掩模3D(M3D)效应，例如水平和垂直图案之间的遮蔽差异，通过间距的最佳焦点移位以及通过焦点的图案移位。M3D效应由倾斜入射的EUV光和图案化的吸收材料之间的相互作用产生，所述图案化的吸收材料的厚度值通常为几个波长的量级。M3D效应可能使得难以进行光学邻近校正，并导致重叠问题。已经表明，减小当前Ta基吸收材料的厚度不足以减轻M3D效应(参考：“通过替代金属吸收剂降低EUV掩模3D效应(Reducing EUV mask 3D effects by alternative metalabsorbers)”，SPIE 2017会议论文集)。

此外，吸收材料除了具有合适材料特性以使其适用于EUV扫描仪环境中的掩模版并使其环境友好之外，吸收材料还应该与当前的EUV掩模版制造工艺兼容。理想地，这种兼容性应当确保在掩模版制造期间获得尽可能正方形的吸收体轮廓，在掩模上没有掩模缺陷，以及在保护多层镜的封盖层上或在多层镜本身上没有损坏。通常通过覆盖层沉积方法或通过非选择性沉积方法在多层镜上提供吸收材料，这需要进一步使用回蚀或化学机械平坦化(CMP)技术来获得所需的吸收剂图案。然而，这些技术使得掩模版的制造成本不仅由于引入这些额外的步骤而昂贵，而且回蚀或CMP技术可能损坏Ru封盖和/或多层镜，这是不希望的。

因此，本领域需要解决上述一些或所有问题的制造EUV掩模版的方法。

发明内容

本发明的一个目的是提供形成EUV掩模版的良好方法，并提供EUV掩模版或在提供EUV掩模版过程中的中间体。

本发明实施方式的一个优点是EUV吸收结构可以具有直的侧壁，即基本上没有角度，并且当忽略表面粗糙度时没有弯曲。

本发明实施方式的一个优点在于EUV吸收结构具有可以垂直或接近垂直的侧壁。

本发明实施方式的一个优点是EUV吸收结构的形成导致掩模上没有缺陷或仅有可忽略不计的缺陷，这意味着在图案化期间在EUV镜或其覆盖层上没有或几乎没有损坏，因此其反射特性与没有EUV吸收结构的情况相比没有改变。在作为比较的减材法中，通过物理蚀刻从母层(例如Ni或Co母层)去除的EUV吸收材料往往沉积在希望有EUV吸收材料的位置之外的EUV镜上。

本发明实施方式的一个优点在于EUV吸收结构可以在其中没有空隙。

本发明实施方式的一个优点是EUV吸收结构可包含无定形材料或平均晶粒尺寸为10nm或更小的多晶材料。这转化为具有相对平滑的侧壁的EUV吸收结构。

本发明实施方式的一个优点是不会对覆盖层造成损坏或损坏很少。该覆盖层优选地保持未受损，以便保持其对下面的EUV镜的保护性能。

本发明实施方式的一个优点在于，在EUV镜上方形成的EUV吸收结构具有低的内应力或没有内应力，从而不会发生掩模版图案的弯曲。

本发明实施方式的一个优点是EUV吸收结构可以在20-250℃，优选20-180℃的温度范围内是稳定的。