[发明专利]一种拼接式透明导电薄膜电极的制备方法及其制品

说明书

本发明公开一种拼接式透明导电薄膜电极，其特征在于，所述拼接式透明导电薄膜电极从上到下依次设置：薄膜电极层、胶层、基底层；所述薄膜电极层是由若干片透明导电薄膜拼接所形成，相邻透明导电薄膜之间的拼接缝隙宽度小于2mm，拼接缝隙中填充有导电浆料，使得透明导电薄膜之间能够完全达到电导通。本发明在不改变现有导电薄膜的制备工艺的情况下，通过对薄膜电极的拼接，使薄膜面积能够进一步扩大，并且其制备工艺简单，能够实现大规模量产。

技术领域

本发明涉及一种透明电极的制备方法，尤其涉及一种拼接式透明导电薄膜电极的制备方法。

背景技术

透明电极是一类具有高透光率，同时又具有高导电率的特殊电极材料，在光子信息技术、光电技术、新能源以及国防军事等众多领域都有广泛的应用。随着科技的发展，人们对电子设备的要求越来越高，电子器件开始朝柔性化超薄化发展，由此使柔性的透明导电薄膜成为透明电极的新宠。透明导电薄膜通常是指对可见光（波长380～780nm）的平均透光率大于80%、电阻小于10-3Ωcm的薄膜，由于本身的透光性、导电性及柔性，透明导电薄膜被广泛用于触控屏、显示器、智能窗、调光膜、电磁屏蔽膜等领域。目前市场上应用最多的透明电极是ITO玻璃和ITO导电膜。

由于ITO这类材料透明电极的制备通常是采用磁控溅射，真空蒸镀等方法的，对设备要求苛刻，设备造价很高；其次铟资源稀缺，从长远看来未来ITO电极的应用必将受到相当大的制约；而且ITO电极的电阻最低只能达到几欧姆，并不能满足一些导电性要求更高的场合。因此近些年市场上也涌现出了一些新型的透明电极材料，其中最为突出是电高分子透明电极和纳米金属网格透明电极。用导电高分子油墨涂布的电极，成本较低，制备工艺简单，只是导电性较传统的ITO差很多，对于一些对导电性要求不高的场合竞争优势明显。而纳米金属网格电极，成本与ITO不相上下，但是导电性却是较ITO好很多，电阻可低至豪欧级，这对于电子产品要求响应速度的今天，无疑有非常大的市场。

无论哪一种透明导电薄膜，目前要实现高导电性大尺寸的电极（面电阻低于30Ω∕□）的量产都面临着巨大的困难。例如：对于低电阻的ITO导电膜，一旦制备面积扩大，其导电均一性会有较大差异，另外其靶才的用量也会极大的增加，其制备成本及其高昂，通常也难以实现市场化应用；例如：新型的银纳米线导电膜，由于其导电油墨的涂布在较大宽幅尺寸薄膜基底上的流动性会产生显著差异，制备面积往往也难以超过1.2米；例如：金属网格透明导电薄膜，作为一种高导电性薄膜，一旦做到宽幅超过80cm，良品率会极大的降低，会出现网格断线，开胶等缺陷，因此不具备量产性，所以目前市场上通用的金属网格导电薄膜通常宽度在50cm以下。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种利用拼接的方式制备透明导电薄膜电极的方法。该方法可以有效的扩大薄膜电极的尺寸。

本发明提供一种利用拼接的方式制备透明导电薄膜电极的方法，该制备方法包括以下步骤：

步骤（一）布胶：在基底上布置一层贴合胶，并保证贴合胶在基底之上达到完整平铺；

步骤（二）拼接：取若干片透明导电薄膜，将它们拼接平铺布置于贴合胶上，透明导电薄膜之间的拼接缝隙宽度小于2mm；

步骤（三）贴合：利用贴合机、脱泡机，通过加热、抽真空、加高压、脱泡等处理工序，使得导电薄膜-贴合胶-基底三者之间完整平铺贴合，各层之间无任何气泡、褶皱、起伏等缺陷；

步骤（四）固化：通过热处理或UV处理方式，将贴合胶完全固化，由此将导电薄膜完整的贴合在基底上；

步骤（五）填缝：将导电浆料填入拼接缝隙之中，使导电浆料固化，由此得到拼接式透明导电薄膜电极。

优选地，拼接电极可以采用两种填缝方法：一种是点胶填缝，通过点胶机将导电浆料填于缝隙之间，并将导电浆料固化；另一种是丝印填缝，制备宽度为导电薄膜拼接缝隙宽度1.5~10倍的丝印网版图案，通过丝网印刷方式将导电浆料填入拼接缝隙之中，并将导电浆料固化。