[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811038105.0 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880455A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 郗宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有若干突起结构，相邻所述突起结构之间具有开口，所述开口暴露所述衬底的表面，所述开口的侧壁形成有侧墙；
对所述侧墙之间的所述衬底的表面进行完全氧化处理，形成氧化层；
对所述氧化层进行酸腐蚀处理以去除所述氧化层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述完全氧化处理采用臭氧氧化处理。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述臭氧氧化处理的臭氧溶液为臭氧与去离子水形成的混合液，所述臭氧溶液中臭氧的浓度大于等于3％且小于等于40％。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述臭氧溶液通过喷嘴喷于所述衬底的表面，且所述喷嘴的喷速大于等于150毫升每分钟且小于等于2500毫升每分钟。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述臭氧氧化处理的温度大于等于10摄氏度且小于等于60摄氏度。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在对所述衬底的表面进行氧化处理的过程中，使所述半导体结构转动。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的转速大于等于300转每分钟且小于等于1800转每分钟。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述氧化层进行酸腐蚀处理的腐蚀液为稀释的氢氟酸溶液。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述突起结构包含晶体管中的栅极。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述酸腐蚀处理后的衬底表面上形成接触孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
