[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种半导体结构的形成方法，该方法可以去除半导体结构在生产制造过程中因为先前工艺制程或其他原因造成的硅表面的损伤层，该方法包括：对衬底表面的损伤部分进行完全氧化处理形成氧化层；对氧化硅层进行酸腐蚀处理去除氧化层。该方法将衬底表面的损伤部分转化成氧化层，再通过酸腐蚀处理去除氧化层，以得到半导体结构含有无损伤的衬底表面，为后续工艺提供良好的基础，进而优化了半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

在动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)技术的发展过程中线宽越来越小，使得连接部分的工艺变得越来越重要。半导体器件在生产制造过程中因为先前工艺制程或其他原因造成连接部分的硅表面产生损伤层，硅损伤层使连接部分的连接电阻过大，影响器件访问速度或者其他电气性能。

因此，有必要研究一种新的半导体结构的形成方法能够去除硅损伤层。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的无法去除硅损伤层的不足，提供一种能够去除硅损伤层的半导体结构的形成方法。

本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有若干突起结构，相邻所述突起结构之间具有开口，所述开口暴露所述衬底的表面，所述开口的侧壁形成有侧墙；

对所述侧墙之间的所述衬底的表面进行完全氧化处理，形成氧化层；

对所述氧化层进行酸腐蚀处理以去除所述氧化层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述完全氧化处理采用臭氧氧化处理。

在本公开的一种示例性实施例中，所述臭氧氧化处理的臭氧溶液为臭氧与去离子水形成的混合液，所述臭氧溶液中臭氧的浓度大于等于3％且小于等于40％。

在本公开的一种示例性实施例中，所述臭氧溶液通过喷嘴喷于所述衬底的表面，且所述喷嘴的喷速大于等于150毫升每分钟且小于等于2500毫升每分钟。

在本公开的一种示例性实施例中，所述臭氧氧化处理的温度大于等于10摄氏度且小于等于60摄氏度。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括：在对所述衬底的表面进行氧化处理的过程中，使所述半导体结构转动。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构的转速大于等于300转每分钟(rpm)且小于等于1800转每分钟(rpm)。

在本公开的一种示例性实施例中，对所述氧化层进行酸腐蚀处理的腐蚀液为稀释的氢氟酸溶液。

在本公开的一种示例性实施例中，所述突起结构包含晶体管中的栅极。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括：在所述酸腐蚀处理后的衬底表面上形成接触孔。

由上述技术方案可知，本发明具备以下优点和积极效果中的至少之一：

本发明的半导体结构的形成方法，先对硅损伤层进行氧化处理将硅损伤层转化成氧化硅层，再对氧化硅层进行酸腐蚀处理去除氧化硅层。需要特别说明的是，使用酸腐蚀处理氧化层而非使用干法刻蚀去除氧化层，是因为干法刻蚀会再次对氧化层下的硅衬底表面造成二次损伤，从而无法根除衬底表面的损伤。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。