[发明专利]发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组在审
| 申请号： | 201811039410.1 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN108933188A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 查国伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L25/075;H01L33/60 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光二极管 背光模组 第二电极 第一电极 发光层 基板 重迭 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板；
一第一半导体层，设置于所述基板上；
一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；
一第二半导体层，设置于所述发光层上；
一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及
一第二电极，设置于所述第二半导体层上；
其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极分别具有一厚度为介于10微米至30微米之间的一范围内。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极的一表面与所述第二电极的一表面位于同一水平高度。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极的所述表面设置一第一金属衬垫，所述第二电极的所述表面设置一第二金属衬垫，所述第一金属衬垫与所述第二金属衬垫为低熔点金属。
5.一种背光模组，其特征在于，包括：
一驱动基板；
多个发光二极管，阵列设置于所述驱动基板上，所述发光二极管包括:
一基板；
一第一半导体层，设置于所述基板上；
一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；
一第二半导体层，设置于所述发光层上；
一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及
一第二电极，设置于所述第二半导体层上；
其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度；以及
多个反射块，分别设置于相邻两发光二极管之间；
其中所述发光层与所述驱动基板间的一间距大于所述反射块的一厚度。
6.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述发光二极管为一覆晶式芯片，所述第一电极通过一第一金属衬垫电性连接至所述驱动基板上的第一焊垫，且所述第二电极通过该一第二金属衬垫电性连接至所述驱动基板的第二焊垫。
7.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极分别具有一厚度为介于10微米至30微米之间的一范围内，并且所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。
8.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，相邻两所述发光二极管间的一间距为介于100微米至1000微米的一范围。
9.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述第一电极的一表面与所述第二电极的一表面位于同一水平高度。
10.根据权利要求5所述的背光模组，其特征在于，所述背光模组更包括一光学膜片组，所述光学膜片组包括依序设置于所述多个发光二极管以及所述多个反射块上的一光学膜片层、一扩散膜层与一增亮膜片层。
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