[发明专利]一种长钼管溅射靶材的制备方法

说明书

本发明涉及一种长钼管溅射靶材的制备方法，其包括以下步骤：S1压制钼管坯：将混匀后的钼粉装入冷等静压模具的管形空腔中，在150‑200MPa下压制钼粉成管状，然后脱去冷等静压模具得到钼管坯，对钼管坯端头及外圆进行修整；S2烧结钼管坯：将钼管坯置于氢气环境中于1800‑2000℃烧结4‑10h，并修整烧结后的钼管坯；S3拼接长钼管：将若干根步骤S2所得的钼管坯纵向依次叠加在热等静压模具的管形空腔内，然后检查管形空腔的气密性，筛选出气密性合格的进行热等静压处理得到一根长钼管，所述长钼管包覆于热等静压模具中；S4校直长钼管：对包覆有长钼管的热等静压模具进行热校直处理，然后脱去模具得到长钼管溅射靶材。

技术领域

本发明涉及靶材生产技术领域，特别是涉及一种长钼管溅射靶材的制备方法。

背景技术

钼靶材广泛用于导电玻璃、STN/TN/TFT-LCD、光学玻璃、离子镀膜等行业，适用所有平面镀膜及旋转镀膜系统。

目前制备大尺寸钼管靶材的方法主要为烧结法，但是该方法对原材料粒度要求很高，且烧结密度偏低，难以达到99.5％的密度要求，另外长钼管在烧结过程容易弯曲变形，成品率低。除烧结法之外还有热压法、挤压法和锻造法三种制备方法，但是，热压法易导致杂质和氧含量超标，无法满足大于99.95％的纯度要求；挤压法所用的挤压设备需能够承受大于5000 吨的压力，对设备要求高；锻造法难以达到99.5％密度要求，同时由于在锻造过程中很难控制钼管热变形，也导致钼管内部均匀性较差。

发明内容

基于此，本发明的目的在于，提供一种使用设备简易、密度高、纯度好、均匀性好、成品率高的长钼管制备方法。

本发明的一种长钼管溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：

S1压制钼管坯：称取并混匀钼粉后，将钼粉装入冷等静压模具的管形空腔中，在冷等静压150-200MPa下压制钼粉成管状，然后脱去冷等静压模具得到钼管坯，对钼管坯端头及外表面进行修整；

S2烧结钼管坯：将修整后的钼管坯置于氢气环境中于1800-2000℃烧结4-10h，并修整烧结后的钼管坯的端头及内外表面；

S3拼接长钼管：将若干根步骤S2所得的钼管坯纵向依次叠加在热等静压模具的管形空腔内，然后检查管形空腔中的气密性，筛选出气密性合格的包覆有若干根钼管坯的热等静压模具进行热等静压处理，得到一根长钼管，所述长钼管包覆于热等静压模具中；

S4校直长钼管：检测包覆有长钼管的热等静压模具的弯曲位置，并对该弯曲位置进行校直处理，然后于真空环境中去应力退火；退火后脱去热等静压模具，并修整长钼管的端头，得到长钼管溅射靶材；

其中，气密性合格的标准为管形空腔内实际真空度小于等于10^-3pa。