[发明专利]动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，包含：

提供基底划分为第一区和第二区，该第一区用于形成动态随机存取存储器，该第二区用于形成闪存存储器；

形成多个沟槽于该第一区和该第二区以在该第一区定义出第一主动区域并且在该第二区定义出第二主动区域；

形成氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层填入该多个沟槽以形成多个浅沟槽绝缘；

形成第一埋入式栅极和该第一主动区域交错和第二埋入式栅极和该第二主动区域交错，其中该第二埋入式栅极仅包含控制栅极和栅极介电层，该栅极介电层为单一材料；

形成电容插塞接触该第一主动区域并且位于第一埋入式栅极的一侧；以及

形成电容电连接该电容插塞。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，另包含：在形成该第一埋入式栅极和该第二埋入式栅极之后，形成两个第一源极/漏极掺杂区位于该第一主动区域内并且位于该第一埋入式栅极的两侧，形成两个第二源极/漏极掺杂区位于该第二主动区域内并且位于该第二埋入式栅极的两侧。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，其中该多个浅沟槽绝缘、该第二埋入式栅极和该两个第二源极/漏极掺杂区共同构成闪存存储器，该第一埋入式栅极、该两个第一源极/漏极掺杂区、该电容共同构成一动态随机存取存储器。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，其中在各该浅沟槽绝缘中存入电荷以调整该动态随机存取存储器结构的启始电压。

5.如权利要求2所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，其中当进行该闪存存储器的写入步骤时，电子由该控制栅极穿过该栅极介电层进入各该浅沟槽绝缘后，电子即存储在各该浅沟槽绝缘内。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，另包含：在形成该第一埋入式栅极和该第二埋入式栅极之后，以及形成该电容插塞之前，形成位接触插塞接触该第一主动区域并且位于第一埋入式栅极的另一侧；

同时形成位线栅极位于该第一区以及开关线位于该第二区，该位线栅极接触该位接触插塞，该开关线接触该第二主动区域；以及

在形成该位线栅极后，形成介电层仅位于该第一埋入式栅极的正上方。

7.如权利要求1所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，另包含：

在形成该电容插塞后，形成周边电路插塞接触该第二主动区域；

在形成该电容之前，同时形成电容接触垫位于该第一区和周边电路接触垫位于该第二区，其中该电容接触垫接触该电容插塞并且该周边电路接触垫接触该周边电路插塞。

8.如权利要求4所述的动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，其中该电容接触该电容接触垫。