[发明专利]动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构

说明书

本发明公开一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构，该闪存存储器包含一基底包含一主动区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。

技术领域

本发明涉及一种将闪存存储器和动态随机处理存储器共同制作在同一芯片的制作方法，并且是一种有关以氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层作为浅沟槽绝缘内的填充层的制作方法。

背景技术

一般说来，存储器可分成挥发性存储器(Volatile Memory)，例如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)及非挥发性存储器(Nonvolatile Memory)，例如闪存存储器(flash)。动态随机存取存储器是以一个晶体管加上一个电容来存储一个位的数据，而且使用时需要周期性地补充电源来保持存储的内容。

闪存存储器在未供电下仍可保持所存储的信息，而且还可以可编程与可抹除信息的存储能力，所以应用的层面十分广泛。随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，存储器的设计也必须符合高集成度、高密度的要求，因此半导体业界致力于降低存储器的尺寸，另一方面更需要增加存储器元件的存储容量、确保元件的可靠度。由此可知，目前仍需要一种可兼顾上述要求的闪存存储器和动态随机存取存储器及其制作方法。

发明内容

有鉴于上述的需求，本发明即提出一种存储器的结构及其制作方法。

根据本发明的一优选实施例，一种闪存存储器，包含一基底包含一主动 (有源)区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料以及两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。

根据本发明的另一优选实施例，一种动态随机存取存储器，包含一基底包含一主动区域和两个浅沟槽绝缘分别位于主动区域的两侧，其中各个浅沟槽绝缘内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一栅极结构埋入于主动区域，两个源极/漏极掺杂区分别位于栅极结构的两侧的主动区域内，一电容电连接前述两个源极/漏极掺杂区的其中之一。

根据本发明的另一优选实施例，一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，包含提供一基底划分为一第一区和一第二区，第一区用于形成一动态随机存取存储器，第二区用于形成一闪存存储器，然后形成多个沟槽于第一区和第二区以在第一区定义出一第一主动区域并且在第二区定义出一第二主动区域，之后形成一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层填入沟槽以形成多个浅沟槽绝缘，接续形成一第一埋入式栅极和第一主动区域交错和一第二埋入式栅极和第二主动区域交错，其中第二埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，再形成一电容插塞接触第一主动区域并且位于第一埋入式栅极的一侧以及形成一电容电连接电容插塞。

附图说明

图1至图12为本发明的一优选实施例所绘示的一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法，其中：

图1绘示的是基底、第一主动区域和第二主动区域的上视图；

图2a绘示的是图1中沿切线AA’方向的侧视图，图2b绘示的是图1中沿切线BB’方向的侧视图，图2c绘示的是图2a和图2b的变化型的示意图；

图3为接续图1步骤的上视图；

图4a及图4b分别为图3中沿切线CC’和切线DD’方向的侧视图；

图5为接续图3步骤的上视图；

图6为接续图5步骤的上视图；