[发明专利]一种芯片封装结构及芯片封装方法在审

专利信息
申请号: 201811045179.7 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN109192706A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 王之奇;谢国梁;陈立行 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 焊垫 绝缘层 芯片封装结构 再布线层 背面 芯片封装 第二面 电连接 元件区 连接可靠性 元件电连接 侧壁延伸 焊接凸起 侧面 暴露 侧壁 覆盖 封装 延伸 保证
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

基体,设置于所述基体的第一面的元件区和焊垫,所述焊垫位于所述元件区的外侧,且与所述元件区内的元件电连接,所述基体覆盖所述焊垫的部分背面;

绝缘层,覆盖所述基体上与所述第一面相对的第二面,以及所述基体上连接所述第一面和所述第二面的侧壁,所述绝缘层上形成有第一过孔以暴露出所述焊垫的部分背面;

再布线层,位于所述绝缘层上,且由所述第二面沿所述侧壁延伸到所述绝缘层的第一过孔内,并向外延伸至所述焊垫的侧面,以与所述第一过孔暴露出的所述焊垫的部分背面和所述焊垫的侧面电连接;

焊接凸起,形成在所述基体的第二面上,且与所述再布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述绝缘层包括有机聚合物层;或者,所述绝缘层包括有机聚合物层和氧化物绝缘层,且所述氧化物绝缘层位于临近所述基体一侧。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述侧壁与所述第一面之间的夹角呈锐角设置。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述焊垫的背面形成有钝化层,所述钝化层上形成有位于所述第一过孔下方的第二过孔,以使所述再布线层与所述第一过孔和第二过孔暴露出的所述焊垫的部分背面电连接。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括辅助覆盖结构,贴合在所述基体的第一面上,且所述辅助覆盖结构至少覆盖所述基体的第一面的焊垫,所述再布线层延伸至所述辅助覆盖结构的侧面。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,所述辅助覆盖结构为覆盖在所述基体的第一面的加强层。

7.根据权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,所述辅助覆盖结构包括光学盖板和空腔壁,所述空腔壁设置在所述基体和所述光学盖板之间,且所述空腔壁与所述焊垫对应设置,所述空腔壁之间形成的空腔与所述元件区对应设置。

8.根据权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,所述焊垫的侧面和所述辅助覆盖结构的侧面所在的面与所述第一面的夹角为钝角。

9.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述绝缘层延伸至所述焊垫的背面远离所述元件区的一侧,所述再布线层覆盖远离所述元件区一侧的绝缘层以延伸至所述焊垫的侧面。

10.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述基体上连接所述第一面和所述第二面的侧壁具有台阶结构。

11.根据权利要求10所述的芯片封装结构,其特征在于,所述基体包括覆盖所述焊垫的部分背面且靠近所述元件区的第一基体和覆盖所述焊垫的部分背面且远离所述元件区的第二基体,所述绝缘层延伸覆盖所述第二基体,所述再布线层覆盖远离所述元件区一侧的绝缘层和所述第二基体以延伸至所述焊垫的侧面。

12.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:

提供一基体,所述基体的第一面设置有多个元件区和焊垫,所述焊垫围绕在每个所述元件区的外侧,且与围绕的所述元件区内的元件电连接;

去除部分基体,以在相邻的元件区之间形成凹槽,所述基体仍覆盖所述焊垫的部分背面;

形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述基体上与所述第一面相对的第二面,以及所述基体上连接所述第一面和所述第二面的侧壁,所述绝缘层上形成有第一过孔以暴露出所述焊垫的部分背面;

形成再布线层,所述再布线层位于所述绝缘层上,且由所述第二面沿所述侧壁延伸到所述绝缘层的第一过孔内,并向外延伸至所述焊垫的侧面,以与所述第一过孔暴露出的所述焊垫的部分背面和所述焊垫的侧面电连接;

在所述基体的第二面上形成焊接凸起,所述焊接凸起与所述再布线层电连接;

沿相邻的元件区之间的切割道对基体进行切割,形成独立的芯片封装结构。

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