[发明专利]一种芯片封装结构及芯片封装方法

说明书

本发明公开了一种芯片封装结构及芯片封装方法，芯片封装结构包括基体，设置于基体的第一面的元件区和焊垫，焊垫位于元件区的外侧，且与元件区内的元件电连接，基体覆盖焊垫的部分背面；绝缘层，覆盖基体的第二面以及侧壁，绝缘层上形成有第一过孔以暴露出焊垫的部分背面；再布线层，位于绝缘层上，且由第二面沿侧壁延伸到绝缘层的第一过孔内，并向外延伸至焊垫的侧面，以与第一过孔暴露出的焊垫的部分背面和焊垫的侧面电连接；焊接凸起，形成在基体的第二面上，且与再布线层电连接。采用上述技术方案，可以增加再布线层与焊垫之间的接触面积，提升再布线层与焊垫之间的连接可靠性，保证芯片封装结构封装效果良好。

技术领域

本发明实施例涉及晶圆级芯片封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。

背景技术

电子设备的发展趋势是小型化以及便携化。决定电子设备小型化以及便携化一个主要因素是电子设备中芯片的封装设计。传统的芯片封装方法通常是采用引线键合(WireBonding)进行封装，但随着集成电路的飞速发展，较长的引线使得产品尺寸无法达到理想的要求，因此，晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)逐渐取代引线键合封装成为一种较为常用的封装方法。

晶圆级封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割成单颗芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。晶圆级封装具有以下的优点：能够对多个晶圆同时加工，封装效率高；在切割前进行整片晶圆的测试，减少了封装中的测试过程，降低测试成本；封装芯片具有轻、小、短、薄的优势。

现有的晶圆级封装方法中对芯片进行封装时，一般通过金属焊球实现芯片与外界电路的联系，金属焊球通过金属布线与芯片上的焊垫电连接，然后通过金属焊球与外界电路电连接。但是现有的晶圆级芯片封装结构中，金属布线与芯片上的焊垫连接可靠性不稳定，造成芯片封装效果较差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，以解决现有技术中芯片封装效果较差的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种芯片封装结构，包括：

基体，设置于所述基体的第一面的元件区和焊垫，所述焊垫位于所述元件区的外侧，且与所述元件区内的元件电连接，所述基体覆盖所述焊垫的部分背面；

绝缘层，覆盖所述基体上与所述第一面相对的第二面，以及所述基体上连接所述第一面和所述第二面的侧壁，所述绝缘层上形成有第一过孔以暴露出所述焊垫的部分背面；

再布线层，位于所述绝缘层上，且由所述第二面沿所述侧壁延伸到所述绝缘层的第一过孔内，并向外延伸至所述焊垫的侧面，以与所述第一过孔暴露出的所述焊垫的部分背面和所述焊垫的侧面电连接；

焊接凸起，形成在所述基体的第二面上，且与所述再布线层电连接。

可选的，所述绝缘层包括有机聚合物层；或者，所述绝缘层包括有机聚合物层和氧化物绝缘层，且所述氧化物绝缘层位于临近所述基体一侧。

可选的，所述侧壁与所述第一面之间的夹角呈锐角设置。

可选的，所述焊垫的背面形成有钝化层，所述钝化层上形成有位于所述第一过孔下方的第二过孔，以使所述再布线层与所述第一过孔和第二过孔暴露出的所述焊垫的部分背面电连接。

可选的，还包括辅助覆盖结构，贴合在所述基体的第一面上，且所述辅助覆盖结构至少覆盖所述基体的第一面的焊垫，所述再布线层延伸至所述辅助覆盖结构的侧面。

可选的，所述辅助覆盖结构为覆盖在所述基体的第一面的加强层。

可选的，所述辅助覆盖结构包括光学盖板和空腔壁，所述空腔壁设置在所述基体和所述光学盖板之间，且所述空腔壁与所述焊垫对应设置，所述空腔壁之间形成的空腔与所述元件区对应设置。