[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；

至少一组字线，形成在所述衬底的内部，每组字线包括两条相邻的字线；及，

掺杂层，自所述衬底的第一表面延伸至所述衬底的内部，并分列于每一所述字线的两侧，所述掺杂层在每组字线的相邻两条字线之间的深度大于所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度，且所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度随远离所述相邻两条字线而变小。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述掺杂层包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分的深度大于所述第二部分的深度，所述第二部分的深度大于所述第三部分的深度，所述第一部分位于所述相邻两条字线之间，所述第二部分位于所述相邻两条字线背离侧，所述第三部分位于所述第二部分远离所述字线的一侧。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一部分的深度介于50nm～70nm，所述第二部分的深度介于40nm～60nm，所述第三部分的深度介于30nm～50nm，所述第二部分的宽度介于4nm～8nm。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述掺杂层的掺杂类型为N型。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述掺杂层的掺杂浓度介于1E12/cm²～1E16/cm²。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述掺杂层包含源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分列于所述字线的两侧，所述相邻两条字线之间的所述源极区或所述漏极区为共用。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述衬底还形成有隔离结构层，所述隔离结构层围绕所述源极区及所述漏极区。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线包括第一介电层、半导体层及第二介电层，所述第一介电层形成于衬底中沟槽的槽壁表面，所述半导体层形成于所述沟槽中的所述第一介电层上，所述半导体层的顶面低于所述第一表面，所述第二介质层位于所述半导体层的所述顶表面上，所述第二介质层覆盖所述半导体层并连接所述第一介电层。

9.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；

形成至少一组第一沟槽在所述衬底中，所述第一沟槽的开口形成在所述第一表面上，每组第一沟槽包括两个相邻的第一沟槽；

形成至少一组字线在所述至少一组第一沟槽中；

对所述字线两侧的所述衬底且靠近所述第一表面进行第一次离子注入；

形成阻挡层在所述衬底上并形成开口，所述开口至少暴露出每组字线的相邻两条字线之间的部分区域；以及

自所述开口对所述衬底进行倾斜的第二次离子注入，在执行至少所述第一次离子注入和所述第二次离子注入后形成掺杂层，所述掺杂层分列于每一所述字线的两侧，所述掺杂层在每组字线的相邻两条字线之间的深度大于所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度，且所述掺杂层在所述相邻两条字线背离侧的深度随远离所述相邻两条字线而变小。

10.如权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一次离子注入为N型注入，注入剂量介于1E14/cm²～1E16/cm²，注入能量介于10KeV～50KeV。

11.如权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二次离子注入为N型注入，注入剂量介于1E12/cm²～1E13/cm²，注入能量介于30KeV～60KeV，注入角度介于3°～20°。

12.如权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，自所述开口进行第二次离子注入之后，还包括：进行热处理以形成所述掺杂层。