[发明专利]一种可控硅封装方法在审
| 申请号： | 201811048365.6 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109390241A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李长征 | 申请（专利权）人： | 浩明科技（中山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖军 |
| 地址： | 528400 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引脚框架 芯片 晶圆 金属盘 外接 封装成型 导电胶 封装壳 焊接点 可控硅 封装 切割 注塑 导电胶固化 封装材料 固定芯片 键合导线 固化 加热 粘贴 包围 | ||
1.一种可控硅封装方法，包括晶圆，晶圆上有若干个芯片(10)并且芯片(10)上设置有外接金属盘，引脚框架(20)，引脚框架(20)设置有若干个用于固定芯片(10)的固定点(21)以及与所述外接金属盘相对应的焊接点(22)，其特征在于，包括步骤：
切割晶圆：对晶圆进行切割，使晶圆分成若干个独立的芯片(10)；
粘贴芯片(10)：通过导电胶将若干个芯片(10)分别固定在引脚框架(20)不同的固定点(21)上；
固化导电胶：加热使导电胶固化；
键合导线：通过导线将芯片(10)上的外接金属盘与引脚框架(20)上相对应的焊接点(22)连接；
封装成型：将封装材料通过注塑的方式包围芯片(10)以及部分引脚框架(20)形成封装壳(30)。
2.根据权利要求1所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：在封装成型步骤后，还包括，固化材料：加热使封装壳(30)加速固化并消除内部应力。
3.根据权利要求2所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：在固化材料步骤后，还包括，电镀：在引脚框架(20)上电镀一层保护膜。
4.根据权利要求3所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：所述电镀步骤中，所述保护膜的材料为锡。
5.根据权利要求3所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：在电镀步骤后，还包括，修剪：修剪引脚框架(20)以去除多余部分形成引脚(23)，并且将整体分成多个包含单个芯片(10)的独立器件。
6.根据权利要求5所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：在修剪步骤后，还包括,检测：对所述独立器件的电气性能进行检测，根据检测标准判断独立器件是否合格。
7.根据权利要求6所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：在检测步骤后，还包括,标识：通过光刻的方式在封装壳(30)刻上标识。
8.根据权利要求7所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：在标识步骤后，还包括,整形：改变引脚(23)的形状以方便安装。
9.根据权利要求1所述的一种可控硅封装方法，其特征在于：所述固化导电胶步骤中，加热的温度为175℃±10℃，加热的时间为120分钟。
10.根据权利要求2述的一种可控硅封装方法，其特征在于：所述固化材料步骤中，加热温度为175℃±10℃，加热的时间为6至10小时。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
