[发明专利]绝缘层薄膜表面的导电化处理工艺

说明书

本发明提供了一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。

技术领域

本发明属于电磁屏蔽膜技术领域，尤其涉及一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺。

背景技术

随着现代电子工业的快速发展，大量电器和电子设备广泛应用于工业生产和人们日常生活，促进了工业技术的发展，改善了人们的生活，提升了人们的生活质量。但电器和电子设备在使用过程中会辐射出大量的电磁波，电磁波对电子设备的正常安全运行和人类的生存环境造成了不可忽视的危害。随着各种无线通信系统和高频电子器件数量的急剧增加，电磁干扰现象和电磁污染问题日渐突出。人类生存环境中的电磁能量逐年增加，21世纪电磁环境恶化难以避免。

电磁屏蔽，是指对两个区域之间进行隔离，以控制磁场、电场、电磁信号等有一个区域扩散到另一个区域造成感应和辐射的行为。具体的，屏蔽体将元器件、电路、组合件等包裹起来，防止受到外界的电磁信号的干扰。电磁屏蔽膜作为一种常用的屏蔽体，广泛用于各电子元器件中。在电磁屏蔽膜的制备过程中，在绝缘层上制备金属屏蔽层时，需要制备至少一层金属层，该金属层一方面用来完成对屏蔽对象的屏蔽保护作用，另一方面用来实现与接地点之间的连接。将电磁屏蔽膜直接覆盖于目标表面时，要求能够与目标完全贴合，中间不能有空腔。而现有电磁屏蔽膜的金属层在使用中，由于膜层光亮导致气体残留于屏蔽膜与目标之间，形成空腔的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，旨在解决现有技术制备的电磁屏蔽膜的金属层在使用中，由于膜层光亮导致气体残留于屏蔽膜与目标之间，形成空腔的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：

提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；

采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；

将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；

将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。

优选的，将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理的步骤中，所述碱性电解液中，金属离子浓度为1-30g/L、pH为7-13的碱性电解液。

优选的，将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理的步骤中，所述表面沉积处理在电流为1-50A的条件进行。

优选的，所述微蚀液包括无机酸和微蚀剂，且所述微蚀液中无机酸的质量浓度为150-300g/L，微蚀剂的质量浓度为100-200g/L。

优选的，将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理的步骤中，在电流强度为10-50A的条件下进行微蚀，完成导电化处理。

优选的，所述金属镀层中的金属元素为银、铜、金、铝、钨、锌、镍、铁、铂、钛金属单质形成的金属镀层；或者

所述金属镀层为银、铜、金、铝、钨、锌、镍、铁、铂、钛金属中的至少两种形成的合金镀层。