[发明专利]有源矩阵基板和多路分配电路在审
申请号: | 201811051186.8 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109494229A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 宫本忠芳;中村好伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层间绝缘层 氧化物半导体层 多路分配电路 源矩阵基板 电极配置 栅极电极 接触孔 电极 覆盖氧化物 视频信号线 栅极绝缘层 半导体层 单位电路 分支配线 减小 配置 | ||
1.一种有源矩阵基板,
具有:显示区域,其包含多个像素;以及非显示区域,其设置在上述显示区域的周边,
具备:基板;多路分配电路,其配置在上述非显示区域,并且支撑于上述基板;以及多个源极总线和多个栅极总线,在上述显示区域中,上述多个源极总线在第1方向上延伸,上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸,
上述有源矩阵基板的特征在于,
上述多路分配电路具有多个单位电路,上述多个单位电路各自从多个视频信号线中的1个视频信号线向多个源极总线中的n个源极总线分配视频信号,其中,n为2以上的整数,
上述多个单位电路各自具有:至少n个TFT;以及n个分支配线,其连接到上述1个视频信号线,
上述至少n个TFT各自具有:氧化物半导体层;上部栅极电极,其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层上;以及第1电极和第2电极,其电连接到上述氧化物半导体层,上述第1电极和上述第2电极中的一方是电连接到上述n个源极总线中的1个源极总线的漏极电极,另一方是电连接到上述n个分支配线中的1个分支配线的源极电极,
还具备:第1层间绝缘层,其覆盖上述氧化物半导体层和上述上部栅极电极;以及第2层间绝缘层,其配置在上述第1层间绝缘层上,
上述第1电极配置在上述第1层间绝缘层与上述第2层间绝缘层之间,并且在形成于上述第1层间绝缘层的第1接触孔内与上述氧化物半导体层接触,
上述第2电极配置在上述第2层间绝缘层上,并且在形成于上述第2层间绝缘层和上述第1层间绝缘层的第2接触孔内与上述氧化物半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,
在上述至少n个TFT中的每个TFT中,上述第1电极隔着上述第1层间绝缘层与上述上部栅极电极部分地重叠,上述第2电极隔着上述第1层间绝缘层和上述第2层间绝缘层与上述上部栅极电极部分地重叠。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,
上述至少n个TFT的沟道长度方向是上述第1方向,上述至少n个TFT的沟道宽度方向是上述第2方向。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板,
上述至少n个TFT各自还具有配置在上述氧化物半导体层的上述基板侧的下部电极。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,
上述下部电极是接地的。
6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,
上述下部电极电连接到上述上部栅极电极。
7.根据权利要求4所述的有源矩阵基板,
上述下部电极与上述上部栅极电极设定为不同的电位。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的有源矩阵基板,
上述多路分配电路包含上述第1电极是源极电极且上述第2电极是漏极电极的第1TFT以及上述第1电极是漏极电极且上述第2电极是源极电极的第2TFT。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的有源矩阵基板,
上述多路分配电路包含多个子电路,
各子电路包含上述多个单位电路中的至少第1单位电路和第2单位电路,
在上述各子电路中,上述第1单位电路的上述n个源极总线与上述第2单位电路的上述n个源极总线在上述第2方向上各1个地交替排列。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板,
在上述第1单位电路和上述第2单位电路中的每个单位电路中,上述至少n个TFT在上述第1方向上排列,
在上述各子电路中,配置有上述第1单位电路的上述至少n个TFT的第1单位电路形成区域位于配置有上述第2单位电路的上述至少n个TFT的第2单位电路形成区域与上述显示区域之间。
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