[发明专利]有源矩阵基板和多路分配电路

说明书

减小形成于有源矩阵基板的多路分配电路的TFT的尺寸。多路分配电路的各单位电路具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到1个视频信号线，各TFT具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在第1层间绝缘层上，第1电极配置在第1层间绝缘层与第2层间绝缘层之间并且在形成于第1层间绝缘层的第1接触孔内与氧化物半导体层接触，第2电极配置在第2层间绝缘层上并且在形成于第1层间绝缘层和第2层间绝缘层的第2接触孔内与氧化物半导体层接触。

技术领域

本发明涉及具备多路分配电路(Demultiplexer Circuit)的有源矩阵基板和多路分配电路。

背景技术

液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：具有多个像素的显示区域；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，多个像素在行方向和列方向上2维地排列。各像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下，称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。

作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。

有时在有源矩阵基板的非显示区域单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路，实现由非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如，在非显示区域中，有时单片地形成栅极驱动器电路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动器电路。

在智能手机等窄边框化要求高的设备中，已提出不仅单片地形成栅极驱动器而且还单片地形成源极切换(Source Shared Driving：SSD)电路等多路分配电路(例如专利文献1)。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极配线分配视频数据的电路。通过搭载SSD电路，能使非显示区域的配置端子部的区域(端子部形成区域)更窄。另外，来自源极驱动器的输出数量减小，能减小电路规模，因此能减少驱动器IC的成本。

驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT中的在多路分配电路(或SSD电路)中作为开关元件使用的TFT称为“DMX电路用TFT”(或“SSD电路用TFT”)。在使用氧化物半导体TFT作为像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工序的观点来说，优选形成使用与像素TFT相同的氧化物半导体膜的氧化物半导体TFT作为电路TFT。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/118079号

发明内容

发明要解决的问题

由于比较大的电流流过SSD电路用TFT等DMX电路用TFT，因此TFT尺寸(沟道宽度)变大。特别是，在使用氧化物半导体TFT作为DMX电路用TFT的情况下，氧化物半导体与多晶硅相比迁移率小约1个数量级，因此与使用多晶硅TFT的情况相比沟道宽度较大。这成为使多路分配电路的面积(或边框区域)增大的重要因素。因此，要求进一步减小DMX电路用TFT的尺寸(例如沟道长度方向的宽度)。

本发明的实施方式是鉴于上述情况而完成的，其目的在于在单片地形成有多路分配电路的有源矩阵基板中，减小构成多路分配电路的TFT的尺寸。