[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质有效
申请号: | 201811053128.9 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109585265B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 奥田和幸;南政克;中村吉延;高木康祐;加我友纪直;竹林雄二 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
1.半导体器件的制造方法,其具有下述工序:
向处理室供给原料气体的工序;
停止所述原料气体的供给的工序;
将残留于所述处理室的所述原料气体除去的工序;
从第二喷嘴向所述处理室供给反应气体的工序;和
将残留于所述处理室的所述反应气体除去的工序,
其中,在向所述处理室供给所述原料气体的工序中,依次进行下述工序(a)至工序(c):
工序(a),以第一非活性气体流量从第一喷嘴向所述处理室供给非活性气体,其中,所述第一喷嘴在排列并收容有多个衬底的处理室中沿衬底的排列方向延伸;
工序(b),一边从所述第一喷嘴向所述处理室供给蓄积于贮留部的原料气体,一边以多于所述第一非活性气体流量的第二非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体;
工序(c),在从作为所述原料气体的流动的上游侧的一端侧对所述处理室内进行着排气的状态下,以所述第一非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,在所述处理室中装载并收容有多个衬底,在供给所述原料气体的工序中,气体在所述第一喷嘴中从一端朝向另一端流动,处理室的排气从作为所述第一喷嘴的所述原料气体的流动的上游侧的一端侧进行。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其中,通过改变所述处理室的排气和所述非活性气体的流量来调节所述原料气体的供给浓度。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,所述工序(a)在实质上停止了所述处理室的排气的状态下进行。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,所述工序(b)在实质上停止了所述处理室的排气的状态下进行。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,在所述工序(a)中,将进行所述处理室的排气的阀设为全闭。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,在所述工序(a)中,当将所述第一非活性气体流量设为Fsccm、并将所述处理室的每单位时间的排气量设为Vsccm时,以FV的方式将进行所述处理室的排气的阀打开。
8.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法,其中,在所述工序(a)中,以所述处理室的每单位时间的排气量V成为所述第一非活性气体流量F的10%以下的方式,将进行所述处理室的排气的阀打开。
9.计算机可读取的记录介质,其记录有通过计算机而使衬底处理装置执行下述步骤的程序:
向处理室供给原料气体的步骤;
将残留于所述处理室的所述原料气体除去的步骤;
从第二喷嘴向所述处理室供给反应气体的步骤;和
将残留于所述处理室的所述反应气体除去的步骤,
其中,在向所述处理室供给所述原料气体的步骤中,依次进行下述步骤:
在所述衬底处理装置中,在实质上停止了排列并收容有多个衬底的所述处理室的排气的状态下,以第一非活性气体流量从第一喷嘴向所述处理室供给非活性气体的步骤;
在实质上停止了所述处理室的排气的状态下,一边从所述第一喷嘴向所述处理室供给蓄积于贮留部的原料气体、一边以多于所述第一非活性气体流量的第二非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体的步骤;
在从作为所述原料气体的上游侧的一端侧对所述处理室进行着排气的状态下,以所述第一非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体的步骤;和
停止所述原料气体的供给的步骤。
10.衬底处理装置,其具有:
排列并收容多个衬底的处理室;
向所述处理室供给原料气体及非活性气体的原料气体供给系统;
设置于所述原料气体供给系统、并向所述处理室喷出所述原料气体及所述非活性气体的第一喷嘴;
设置于所述原料气体供给系统、并蓄积所述原料气体的贮留部;
向所述处理室供给反应气体的反应气体供给系统;
向所述处理室喷出所述反应气体的第二喷嘴;
从作为所述原料气体的上游侧的一端侧对所述处理室内进行排气的排气系统;和
控制部,所述控制部构成为以进行下述处理的方式控制所述原料气体供给系统、所述反应气体供给系统、所述排气系统,所述处理为:向所述处理室供给所述原料气体的处理、将残留于所述处理室的所述原料气体除去的处理、从所述第二喷嘴向所述处理室供给所述反应气体的处理、和将残留于所述处理室的所述反应气体除去的处理,
其中,在向所述处理室供给所述原料气体的处理中,依次进行下述处理:在实质上停止了收容有衬底的所述处理室的排气的状态下,以第一非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体的处理;在实质上停止了所述处理室的排气的状态下,一边从所述第一喷嘴向所述处理室供给蓄积于所述贮留部的所述原料气体、一边以多于所述第一非活性气体流量的第二非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体的处理;和在对所述处理室进行着排气的状态下,以所述第一非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体的处理。
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