[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质。本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。本发明的解决手段为通过一边供给DCS气体一边从喷嘴(249a)向处理室(201)供给N₂气体，从而利用N₂气体将DCS气体推升至沿上下方向延伸的喷嘴(249a)的上端。此外，通过从下方对处理室(201)内的气体进行排气，从而即使DCS气体被大量供给至在喷嘴(249a)内流动的DCS气体的上游侧即处理室(201)内的下方部，也仍可将其排气。由此，能够在处理室(201)的上下方向上均匀地供给DCS气体，能够使在衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间均匀。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。

背景技术

专利文献1中，作为半导体器件(Device)的制造工序中的一个工序，记载了在收容于处理室内的衬底上形成膜的成膜处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-67877号公报

发明内容

发明要解决的课题

在成膜处理中，向收容有沿上下方向装载的衬底的处理室供给原料气体和反应气体，在所装载的各衬底上形成膜。像这样，在沿上下方向装载的各衬底上形成膜的情况下，有时根据衬底配置的位置而导致膜厚变得不同。

本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。

用于解决课题的手段

根据本发明，提供具有下述工序的技术：

向处理室供给原料气体的工序；

停止上述原料气体的供给的工序；

将残留于上述处理室的上述原料气体除去的工序；

从第二喷嘴向上述处理室供给反应气体的工序；和

将残留于上述处理室的上述反应气体除去的工序，

其中，在向所述处理室供给所述原料气体的工序中，依次进行下述工序：

在实质上停止了排列并收容有多个衬底的处理室的排气的状态下，以第一非活性气体流量从第一喷嘴向上述处理室供给非活性气体的工序；

在实质上停止了上述处理室内的排气的状态下，一边从上述第一喷嘴向上述处理室供给蓄积于贮留部的原料气体、一边以多于上述第一非活性气体流量的第二非活性气体流量从上述第一喷嘴向上述处理室供给上述非活性气体的工序；和

在从作为上述原料气体的流动的上游侧的一端侧对上述处理室内进行着排气的状态下，以上述第一非活性气体流量从上述第一喷嘴向上述处理室供给上述非活性气体的工序。

发明的效果

根据本发明，能够抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。

附图说明

[图1]为示出本发明的实施方式涉及的半导体器件的制造方法中使用的衬底处理装置的概略构成图。

[图2]示出本发明的实施方式涉及的半导体器件的制造方法中使用的衬底处理装置，并且是图1的A-A线剖面图。

[图3]为用于对本发明的实施方式涉及的半导体器件的制造方法中使用的衬底处理装置所具备的控制器进行说明的框图。

[图4]为示出本发明的实施方式涉及的半导体器件的制造方法的成膜顺序(sequence)中的各部分的运转定时的图。