[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示器件

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

栅极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

源漏极，形成于所述有源层上；

钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；

其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由导电材料组成，且所述导电材料为氧化铟锡、含钼合金或含钛合金含。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由半导体材料组成，且所述半导体材料为金属氧化物半导体材料。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由绝缘材料组成，且所述绝缘材料为有机绝缘材料或无机绝缘材料。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘材料为树脂；和/或

所述无机绝缘材料包括氮化硅、氮氧化硅和三氧化二铝中的至少一种。

6.如权利要求1-5任一项所述阵列基板，其特征在于，所述缓冲层的厚度为10-200nm。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备栅极；

在所述栅极上制备栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制备有源层；

在所述有源层上制备源漏极；

在所述源漏极上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备钝化层；

其中，所述缓冲层包覆在所述源漏极表面，且所述缓冲层用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性。

8.如权利要求7所述的制备方法吗，其特征在于，所述缓冲层由导电材料、半导体材料或绝缘材料组成；和/或

所述缓冲层的厚度为10-200nm。

9.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

10.如权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件为液晶显示器件或有机发光二极管显示器件。