[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示器件

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示器件。该阵列基板包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏极，形成于所述有源层上；钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。本发明增设有缓冲层的阵列基板具有很好的平整度和均一性，能改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示器件。

背景技术

随着显示科技的日渐进步，平板显示成为人们不可缺少的必备品之一。目前主流显示包括主动式液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)和主动式有机发光二极管显示器(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)，两种显示方式以各自优势相互并存。

主动式液晶显示器包括主动阵列基板，彩色滤光片基板以及与位于两基板之间的液晶层所构成。主动式有机发光二极管显示器包括主动阵列基板和有机发光二极管层。两种显示方式均需要有稳定可靠的阵列基板。阵列基板包含一个或多个薄膜晶体管(Thin-film Transistor，TFT)，随着人们对显示面板的分辨率以及显示品质的需求不断提升，所构成薄膜晶体管的导电层、绝缘层材料和制程方式相较于传统开始发生转变。如，从传统的Al/Mo开始转向Cu/Mo，Cu/Mo-Ti，ITO等，或氮化硅到氧化硅以及其它有机或无机绝缘材料。然而，随着材料的变化，导电层源漏极(Source/Drain)与钝化层(Passivation，PV)往往会产生粘附很差的情况，如此不仅降低成品良率，还会影响显示品质。如当Source/Drain为Cu导线，PV为氧化硅时，Source/Drain与氧化硅粘附力比较差，会出现气隆起，极大地降低了面板良率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种阵列基板及其制备方法和显示器件，旨在解决现有薄膜晶体管组成的阵列基板中，源漏极与钝化层之间粘附性差的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种阵列基板，包括：

基板；

栅极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

源漏极，形成于所述有源层上；

钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；

其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。

本发明提供的阵列基板中，在源漏极与钝化层之间增设一层缓冲层，该缓冲层包覆在源漏极表面，且对源漏极和钝化层同时具有很好的粘附性，这样可以提高源漏极与钝化层之间的粘附性，与现有技术相比，本发明增设有缓冲层的阵列基板具有很好的平整度和均一性，能改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象。

本发明另一方面提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备栅极；

在所述栅极上制备栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制备有源层；

在所述有源层上制备源漏极；